手机TDMA noise的产生
TDD NOISE的一些处理方法 (1)好多手机都会产生恼人的TDMA噪声,频率为217Hz. 其产生的原因如下两种途径: a,天线辐射出的射频能量干扰 (2)串电阻可以减小该TDMA的噪声,同时加大RECEIVER的输出增益,电阻大小可根据调试情况而定(针对PA突发工作时带动电源产生的干扰) (3) GSM的TDMA每个timeslot(时隙)为577uS,每帧有8个timeslot,即每帧长为577us×8=4.616ms。GSM是收发 双工的,也就是只要处于通信状态,发射帧是连续发 送的。PA在每次发射是都会有一个burst大电流的需求,电源电路就会把这个噪声串到整个电路板上。 (4) a,走线要并行走且用的保护 (5) a, 如果走線太長, receiver AMP 必須盡量靠近CPU端.可以在audio訊號受到干擾前先放大聲音訊號 (6) 差分线上的干扰信号可以表示为一个共模干扰部分+差摸干扰部分,差分线之间的电容是为了去差摸干扰,而每根线到地的电容是为了去共模干扰。 (7) 不同容值,材料的电容,谐振频率不一样,用来滤掉特定频率的干扰,需要选合适谐振频率的电容。所以很多地方滤波都有大大小小不同容值电容并联。 (8)bead滤除高频noise,虽然其本身听不见,但如果这个noise以一定的频率(音频范围)出现(比如GSM中的TDD noise),这样,其就会造成可听见的噪音。还有出于EMI的考虑,通常音频通路比较长,比如喇叭的绕线,耳机线等,会拾取和发射高频noise,所以 要添加bead滤掉。 (9)电容的规格书上有曲线图,每个电容对不同的频率都有一个ESR,有一个最小值。电容在低于其谐振频率时候其呈现的是容性,等于谐振频率时表现 为电阻性,高于谐振频率时表现为电感性。同样容值不同类型的电容的ESR也会有很大差别,其表现出来的谐振点也会有区别。即使同是陶瓷电 容,NPO,Z5U,X7R,Y5V等等之间的频率特性就不一样,再加上走线也会产生寄生电感,所以说一定要针对哪个电容针对哪个频段是很难确定的。 (10) 音频线上,比如耳机接口上、Mic、Speaker、Receiver线上,串磁珠其实也挺常见的,特别是在耳机线上。当然主要的目的是减少EMI,耳机 线很长,相当于天线,串上磁珠可以阻塞高频率的噪声通过耳机线向外辐射。在Mic、Speaker、Receiver上,其实是有一点多此一举,如果连接 的Cable很短的话。针对射频对音频的干扰,则一般通过小电容的滤波来解决,而用不着磁珠。其实很多电路,都是那些似懂非懂的人做出来的。还是需要从基 本原理去理解各种器件的特性及其在电路中的作用来着手,思考其是否有用,是否必要。 (11)通常耳机电路都是需要隔值钽电容的,大概在百uf级(现在有专用的capless驱动芯片,可以省去电容)。这个TAN电容的ESR相当于
增加了耳机的负载,会降低耳机的输出功率。但同样有助于改善低频响应。通常选这标准品TAN电,其ESR大约几个ohm,影响不至于太大。 (13)两种TDD测试方法: 主观测试方法: 客观测试方法: 测量TDD NOISE的频谱 (14)对音频攻放电源引起的TDD ,一般可加100nF和4.7UF的电容滤除电源上的噪音 (15)针对receiver通路噪音,可加下拉电阻来降低底噪?(不知是否可行)
也就是,几个单元之间不要有公共的供电路径,这样,可最小化电源产生的干扰。
当然也有手机把Bead靠电声器件放置的,此时的目的却是为了防止射频等杂讯对音频的干扰。 两者的侧重点不一样。 |
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