晶振选型时的问题库稳定度、准确度、长期稳定度的主要区别是什么?
通常人们说的稳定度指的是温度稳定度,因为温度稳定度是衡量晶振短期稳定性的最主要的指标。
准确度指的是在常温环境下晶振的输出频率fx和中心标称频率f0比较。公式如下:准确度 = (fx- f0) / f0。 影响准确度的主要因素有晶振出厂准确度、温度漂移、电压特性、负载特性、老化漂移等。 长期稳定度指的是年老化率、10年老化率。 Clipped Sine Wave
削顶正弦波(Clipped Sine Wave)相比方波的谐波分量少很多,但驱动能力较弱,在负载10K//10PF时Vp-p为0.8Vmin。通常为SMD 7050、5032、3225使用的波形。
Sine Wave
通常晶振正弦波输出的负载阻抗为50欧姆,衡量正弦波的主要指标为功率、Vp-p值,其对应关系如下:
LVDS(Low Voltage Differential Signal)
差分对输入输出,内部有一个恒流源3.5-4mA,在差分线上改变方向和1来表示0。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。
能通过一对双绞线实现双向的半双工通信。
即一个驱动器连接多个接收器。当有相同的数据要传给多个负载时,可以采用这种应用形式。
此时多点总线支持多个驱动器,也可以采用BLVDS驱动器。它可以提供双向的半双工通信,但是在任一时刻,只能有一个驱动器工作。因而发送的优先权和总线的仲裁协议都需要依据不同的应用场合,选用不同的软件协议和硬件方案。 LVPECL
Vcc=3.3V;VOH=2.42V;VOL=1.58V;VIH=2.06V;VIL=1.94V ECL、PECL、LVPECL使用注意:不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构,必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL:直流匹配时用130欧上拉,同时用82欧下拉;交流匹配时用82欧上拉,同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)
PECL (Pseudo/Positive ECL)
Vcc=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V
ECL(Emitter Couple Logic)
ECL电路的特点:基本门电路工作在非饱和状态,ECL电路具有相当高的速度,平均延迟时间可达几个毫微秒甚至亚毫微秒数量级。 HCMOS
HCMOS-全静态设计、高速互补金属氧化物半导体工艺,CMOS-互补金属氧化物半导体。CMOS将被HCMOS所替代。 2.5V LVCMOS
Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 3.3V LVCMO
Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。
CMOS
Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。 2.5V LVTTL
Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 3.3V LVTTL
Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
TTL(Transistor-Transistor Logic:)
Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。因为2.4V与5V之间有很大空闲,对改善噪声容限没好处,会增大系统功耗,并影响速度,所以后来出现LVTTL(Low Voltage TTL)。在晶振产品中,LVTTL分为3.3V、2.5V,其中以3.3V为主。
(LV)TTL、(H)CMOS、(P)ECL、LVDS、(Clipped)Sine Wave几种波形的主要区别是什么?
这几种波形都是目前行业常用的波形。通常,方波输出功率大,驱动能力强,但谐波分量丰富;正弦波输出功率不如方波,但其谐波分量小很多。
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