Nor 与Nand Flash 区别 一、类型理解
分为NOR(或非) NAND(与非) 二、接口理解 NOR(或非)----地址、数据总线分开; NAND(与非)----地址、数据总线共用。 三、读写单位: NOR(或非)----字节; NAND(与非)----页。 四、组成结构: NOR(或非)----扇区、字节; NAND(与非)----块、页; 五、擦除单位: NOR(或非)----扇区; NAND(与非)----块; 六、原理区别: A、FLASH区别EEPROM 他们的存储单元基本一致,只是FLASH的存储单元的源极都是连在一起的,因此,擦除是会一起擦除, 而EEPROM是可以按字节独立擦除的, EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。 EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出, EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating-gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成,由于FLOTOX的特性及两管结构,所以可以单元读/写。 技术上,FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的,很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程,擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。 但主要的不同是,FLASH对芯片提供大块或整块的擦除,这就降低了设计的复杂性,它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister,所以可以做到高集成度,大容量,另FLASH的浮栅工艺上也不同,写入速度更快。 B、NOR区别NAND 寻址:NAND每次读取数据时都是制定 块地址、页地址、列地址,列地址就是读的页内起始地址,每次都是先将数据读入页缓冲区内,再由I/O输入地址在缓冲区内寻址,其实这里列地址,只是指定起始地址的作用 1、NAND是以页为基本单位操作的。写入数据也是首先在页面缓冲区内缓冲,数据首先写入这里,再写命令后,再统一写入页内,因此每次改写一个字节,都要重写整个页,因为它只支持页写,而且如果页内有未擦除的部分,则无法编程,在写入前必须保证页是空的。 因此NAND页缓冲区的作用就是,保证芯片的按页的读、写操作,是I/O操作与芯片操作的接口、桥梁,因为数据是从I/O输入的又是每次一个字节,因此需要缓冲。 2、NOR则是字节为基本单位操作的,可以字节写、读,但擦除是扇区操作的。 综上所述在芯片操作上,NAND要比NOR快很多,因为NAND是页操作的而NOR是字节操作的。 七、应用: NAND 正是基于这种构造:块、页,无法字节寻址,页读写本身就靠的是内部复杂的串、并行转换 ,因此也没有很多地址引脚,所以其地址、数据线共用,所以容量可以做的很大 。 NOR 是和SRAM一样的可随机存储的,也不需要驱动,因此,其地址就有限,所以容量普遍较小,其实是受限于地址线。 再就是NAND 坏区较多, 基于以上几点,在工业领域,NOR 用的较多,特别是程序存储,少量数据存储等。 在消费领域,大量数据存储,NAND较多。 |
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