FPGA_学习2

SDRAM内存深度问题：
请参考这边文档衔接如下：http://www.docin.com/p-374558078.html
关于SDRAM内存大小计算公式如下：
容量 = 2^x(行地址，x根地址线) * 2^y(列地址) * width(数据位数) * 2^bank(片内bank数)Bit

NAND FLASH 和 NOR FLASH 的区别：
NOR FLASH:
    程序和数据可以存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机地读取，
允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载到RAM中再执行。
    可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在
存储器进行编程之前需要对整块或整片进行预编程和擦除操作

NAND FLASH:
    以页为单位进行读写操作，1页为256B或512B；以块为单位进行擦除操作，1块为4KB,8KB,
16KB。具有快编程和快擦除的功能
    数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程

NOR FLASH带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节
NAND 器件使用复杂的I/O口来串行地读取数据，共用8位总线。8个引脚用来传送控制、地址和
数据信息。