ＰＮ结的形成
在一块本征半导体中，掺以不同的杂质，使其一边成为Ｐ型，另一边成为Ｎ型，在Ｐ区和Ｎ区的交界面处就形成了一个ＰＮ结。
扩散运动：由于载流子浓度差的存在，Ｐ型区的空穴（多子）向Ｎ型区扩散，并与 N区的自由电子复合；Ｎ型区的电子（多子）向Ｐ型区扩散，并与 P区的空穴复合。扩散运动使Ｐ区失去空穴，留下负离子，Ｎ区失去电子，留下正离子，形成一个很薄的空间电荷区（ＰＮ结）。在这个区域内，多数载流子或已扩散到对方，或被对方扩散过来的多数载流子(到了本区域后即成为少数载流子了)复合掉了，即多数载流子被消耗尽了，所以又称此区域为耗尽层，它的电阻率很高，为高电阻区。
漂移运动：
空间电荷区的正负离子间形成了一个内电场，从Ｎ区指向Ｐ区，对扩散运动起阻碍作用，同时，该电场使Ｐ区电子（少子）向Ｎ区漂移，Ｎ区空穴（少子）向Ｐ区漂移，漂移运动使空间电荷减少，空间电荷区变窄。
扩散运动使空间电荷区变宽，内电场增强，扩散阻力增大，漂移运动增强，而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱，扩散运动增强，当达到动态平衡时，空间电荷区的宽度一定。
ＰＮ结的宽度一般为0.5um
ＰＮ结的单向导电性
ＰＮ结加正向电压（正向偏置）
正向偏置即外加电压的正极接 P区一侧，负极接 N区一侧，ＰＮ结正偏时，两边的多子被推向ＰＮ结，空间电荷区变窄，内电场减弱，扩散运动加强，漂移运动减弱，形成较大的正向电流 If，且随外加电压而变化。
当外加正向电压增加到一定数值后，正向电流将大大增加，此时，外加正向电压只要有微小的变化，便能使正向电流发生显著变化。因此，在正向偏置时，PN结呈现一个很小的电阻。
ＰＮ结加反向电压（反向偏置）
外加电压的正极接 N区，负极接 P区，称为反向偏置，ＰＮ结反偏时，外加电场与内电场方向一致，两边的多子被拉离ＰＮ结，空间电荷区变宽，内电场增强，扩散运动减弱，漂移运动增强，形成很小的漂移电流IR（反向电流），电压增高时，反向电流增加不大（少子数量有限）。
因为少数载流子的浓度很低，所以反向电流很小，一般为 uA数量级。同时，少数载流子由本征激发产生，温度一定时，少数载流子浓度将不变，因此反向电流几乎不随外加电压而变化，故又称为反向饱和电流。
ＰＮ结的单向导电性 ：
ＰＮ结外加正偏电压时，形成较大的正向电流，ＰＮ结呈现较小的正向电阻；外加反偏电压时，反向电流很小，ＰＮ结呈现很大的反向电阻。所以说，ＰＮ结具有单向导电性。
ＰＮ结的反向击穿：
ＰＮ结外加的反向电压超过一定数值后，反向电流将急剧增加，发生反向击穿现象，单向导电性被破坏。
外加电场与 PN结内电场方向相反，在外加电场作用下，扩散运动与漂移运动的动态平衡被打破，使扩散运动占优势，于是将有较多的空穴从 P区向 N区扩散，较多的电子从 N区向 P区扩散。当 P区空穴进入空间电荷区时，要和部分负离子中和，使空间负电荷量减少。同样，N区的电子进入空间电荷区后，要和部分正离子中和，使空间正电荷量减少，结果使空间电荷区变窄。
