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Q:我看见很多电路在驱动mos管的时候,在栅极上都要串上一个很小的电阻几欧姆到十几欧姆不等.我也查看了很多资料,有的说是限制电流、保证开关速度,有的说是驱动互补mos管时防止直通的,众说纷纭,公说公有理,婆说婆也有理.我头都大了,请教那位真正明白的高手告诉小弟一下,在此谢过了!
顺便问一下,那种电阻的型号为什么要在告诉阻值后还要告诉功率值?(请详细说明一下,谢谢!) A:详细说明的资料很多可上网找
简单的说 MOSFET的闸极有杂散电容有引线电感走线电感输入阻抗又高Q值大容易谐振 因此加个电阻或磁珠降低Q值让它不容易振荡 A:要详细资料有两处可找
1.书店 2.MOSFET 制造商的应用资料库 A:与EMI有关,减缓驱动波形上升速度,假设驱动方波上升时间为t,则方波频域上高频时转折频率为1/(pai*t),t越小则高频成分越高.加上一个小电阻,可以减小Cgs的充电速度,减小驱动波形的上升速度.减小dv/dt.为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻 Rg .当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值.通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整 ) .另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件,建议在栅射间加入一电阻 Rge ,阻值为 10 k Ω左右.
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