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1.离子的平均自由行程必须大于离子源到收集器的飞行路程
2.离子源内高的气压可能引起高达数千伏的加速电压放电。 3.电离盒内的高气压导致离子—分子反应，改变质谱图样。 4.保护灯丝。低真空背景干扰强烈，噪音高。氧气含量过高容易对电子器件破坏， 很多电子器件的正常运转需要高真空。
在低真空度下存在氧分子还会使发射电子的热灯丝迅速氧化而损坏,
就像白炽灯中的钨丝怕见空气被氧化一样。
具体理解如下:
1.平均自由程是分子（离子）两次碰撞所走过的路程，发生
碰撞的时候那么离子的运动方向和速率都将会发生变化，在
质谱中离子的平均自由程越大，那么在有限长的真空腔体内
发生分子间或者是离子间的碰撞就越少，有利于提高分辨率
，如果真空低，平均自由程就短，那么分子之间的碰撞就频
繁，分辨率下降。
2. 如果真空腔体真空低，比如说是在几Pa到几十Pa，那么 根据放电的最佳条件可知，这个时候高压特别容易放电；另
外如果系统使用的是EI，那么为了防止EI灯丝烧断，真空度
要高于10-3Pa。
3.高气压下，离子分子反应这个就不必讲了，CID就是最为 典型的人为离子-分子反应得到目标离子碎片。
4.真空中必须高真空还有一点就是，目前所使用的微通道板 和电子倍增器等信号放大系统都需要在高真空下才能够达到
应有的效果。所有的质谱都是用来检测离子的，而这些质谱的检测原理不
外乎是利用离子在电场、磁场或电磁场中的运动特性来使具
有不同质荷比的离子加以区分并检测。离子要在电场、磁场
 或电磁场中飞行一定的时间和空间，如果在这些时间和空间
中存在大量的气体势必会使离子很快淬灭而达不到检测器。
所以为了减少离子与背景气体的碰撞淬灭要抽真空使背景气
体分子数量大大减少，以维持足够的离子平均自由程。
简言之，最重要是使气相离子具有较高的平均自由程，另外高真空可以防止离子-分子反应的发生，
真空有利于离子源的正常调谐，避免气体传导引起的高压放电从而损坏电路或相关部件。
总之，1.离子源将分子进行离子化，形成了离子和离子碎片，真空可以降低分子离子反应 2.在离子通过四级杆的时候，真空给离子提供了足够的平均自由程，也就是提供了接近完美的环境，用来筛选离子 3.灯丝保护作用，真空比空气少很多分子，也就减少了干扰，降低灯丝的损耗 4.调谐影响。离子源一般都是70ev，不受压强影响，而发射电流则会被压强影响，空间电荷妨碍电子束通过电离盒，影响正常调谐。 5.高压放电。在高电压下气体传导会产生放电现象。 6.电子倍增器和打拿极保护，这俩东西暴露在空气中将严重缩短寿命 7.降低本底干扰
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