IGBT 的门极驱动电压

    IGBT是绝缘栅型双极性晶体管((Insulated Gate Bipolar Transistor)的简称。它是一种电压控制型功率器件，需要的驱动功率小，控制电路简单，导通压降低，且具有较大的安全工作区和短路承受能力。在中功率以上的逆变器中逐渐取代了POWER MOSFET和POWERBJT成为功率开关器件的重要一员。
    由于IGBT是电压控制型器件，开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定，当在栅极和发射极加一大于开启电压UGE(rh)的正电压时，IGBT导通，当栅极施加一负偏压或者栅压低于门限电压时，IGBT就关断。
    典型的IGBT驱动原理图如图所示。
 
其中：
    +UGE为正向开通电压；
    -UGE为关断电压。
    当UGE较小时，IGBT通态压降会变大，IGBT就容易发热，随着UGE增大，通态压降就降低，IGBT的通态损耗就降低。
    当UGE很大时，容易造成栅极的击穿，并且还容易产生擎住效应，无法关断IGBT，损坏器件。