二、高级设置菜单
高级设置菜单是设置主板功能的,有
ACPI Setting(高级配置和电源接口设置) CPU Configuration(CPU配置)
Intel IGD SWSCI OPREGION(集成显卡设置) USB Configuration(USB配置)
Super IO Configuration(超级IO配置)
H/W Monitor(硬件监控)
Wake Up Event Setup(唤醒事件设置)
2-6、H/W Monitor(硬件监控)
硬件监控界面上半部显示PC健康状态,包括有主板(System)温度,CPU温度,CPU和系统风扇转速,以及主要的电压。+12V是电源提供给主板的12V电压,PCH1.05V是南桥供电电压,Memory Voltage是内存供电电压,Vcc是5V供电电压,Vtt是时钟电压,CPU Voltage是CPU电压,VAXG是集显供电电压,VBAT是CMOS供电电池电压。
2-6-1、CPU Fan Speed Control(CPU风扇调速)
这里是设置风扇调速模式,有三种:Full Speed(全速)、On/Off(开/关)、Smart Guardian(智能)。默认是Smart Guardian(智能)。
智能模式的设置项说明如下。
2-6-2、Fan off Temperature(风扇关闭温度)
这是设置风扇关闭的温度,就是说CPU的温度低于这个温度风扇就降到最低转速。
2-6-3、Fan Full Speed Temperature(风扇全速温度)
这是设置风扇全速的温度,就是说CPU温度达到这个温度风扇就开始高转速。
2-6-4、Smart Guardian Start Temperature(智能调速开始温度)
这是设置智能调速开始的温度,就是说CPU温度达到这个温度就开始智能调速。
2-6-5、Smart Guardian Start PWM(智能调速开始PWM)
这是设置智能调速开始PWM值。
2-6-6、Slope of PWM( PWM斜率)
这是设置PWM的斜率,就是PWM调速的变化速率。
2-7、Wake Up Event Setup(唤醒事件设置)
2-7-1、Restore AC Power Loss(AC掉电后再来电)
这是设置AC掉电后再来电,PC的状态,有三种状态:Power off(关机)、Power On(开机)、Last State(掉电时的状态)。默认是Power off(关机)。
2-7-2、PS2KB Wake Up(PS2键盘唤醒)
开启/关闭PS2键盘唤醒。设置项有Disabled(关闭)、Any Key(任意键)、Special String(密码)。默认是Disabled(关闭)。如果设定Special String(密码)唤醒,就要在下面设置密码。
2-7-3、PS2MS Wake Up(PS2鼠标唤醒)
开启/关闭PS2鼠标唤醒。设置项有Disabled(关闭)、Mouse Move(移动鼠标)、Mouse Click(点击鼠标)。默认是Disabled(关闭)。
2-7-4、On Board LAN Wake Up(板载网卡唤醒)
开启/关闭板载网卡唤醒。设置项有Disabled(关闭)、Enabled(允许)。默认是Disabled(关闭)。
2-7-5、RTC Wake Settings(实时时钟唤醒设置)
实时时钟唤醒设置有2种,一个是固定时间(Fixed Time),一个是动态时间(Dynamic Time)。
固定时间唤醒需要设置日、时、分、秒。
动态时间唤醒需要设置时间长度。也就是以分计算,多少分钟后唤醒。
CAS Latency(CL):列地址选通潜伏时间,指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存单元是按矩阵排列的,读写内存单元中的数据,首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的。当内存读写请求触发后,最初是tRP(Active to Precharge Delay:预充电延迟),预充电后,内存才真正开始初始化RAS(内存行地址选通)。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe行地址选通 )开始对需要的数据进行寻址。首先是“行”地址,然后初始化tRCD(RAS to CAS Delay行地址到列地址延迟),接着通过CAS(列地址选通)访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失数据,因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时,如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率,所以需要对内存超频时,应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大, 是JEDEC规范中排在第一的参数,CAS值越低,内存读写操作越快,但稳定性下降,相反数值越高,读写速度降低,稳定性越高。参数范围3-15。
tWTR(Write to Read Delay):写到读延时。这个参数设定向DDR内存模块的同一个单元中,在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高,降低了读性能,但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能,但系统会不稳定。参数范围3-31。
tRRD(Row to Row Delay):行到行延迟。也称为RAS to RAS delay ,表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即:REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。延迟越低,表示下一个bank能更快地被激活,进行读写操作。然而,由于需要一定量的数据,太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况,需将此值设定较高的时钟参数。参数范围4-15。
tRTP(DRAM READ to PRE Time):内部读取到预充电命令时间,这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小,系统运行很快,但不稳定。参数范围4-15。
tFAW(DRAM FOUR ACT WIN Time):内存四项动作成功时间。该选项通常设置为Auto即可,对性能以及稳定性影响不大。参数范围4-63。
6-3-2-3、集显配置
Graphics Core Ratio Limit(GPU核心`倍率限制)
这里是设置GPU的核心倍率,GPU核心频率=(倍率 x 100)/2。
Graphics Voltage(1/10000V)(GPU电压)
这里是设置GPU的电压,单位是毫伏(1/10000V)。
6-4、Over Voltage Settings(超电压设置)
为了超更高的频率,或者更稳定超频成功率,一般会提高有关的电压。这里就是设置电压的。
CPU Over Voltage(超CPU电压)
超CPU核心电压,在此处回车,从弹出菜单中选择增加的电压,增压范围0.00-0.63V。
Memory Over Voltage(超内存电压)
超内存电压,在此处回车,从弹出菜单中选择增加的电压。增压范围0.00-0.63V。
VTT Over Voltage(超VTT电压)
超VTT电压,在此处回车,从弹出菜单中选择增加的电压。增压范围0.00-0.63V。
VSA Over Voltage(超VSA电压)
超VSA电压,在此处回车,从弹出菜单中选择增加的电压。增压范围0.00-0.63V。
VAXG Over Voltage(超VAXG电压)
超VAXG电压,在此处回车,从弹出菜单中选择增加的电压。增压范围0.00-0.63V。
V18 Over Voltage(超V18电压)
超V18电压,在此处回车,从弹出菜单中选择电压,1.80-2.43V。
PCH 1.05V Over Voltage(超PCH1.05V电压)
超PCH 1.05V电压,在此处回车,从弹出菜单中选择增加的电压。增压范围0.00-0.10V。
七、保存和退出
Discard Changes and Exit(放弃更改并退出)
Save Changes and Rest(保存更改并重启)
Restore Defaults(恢复默认值)
Boot Override(更改启动设备)