七、电源管理
7-1、Wake System with Fixed Time(系统固定时间唤醒)
开启/关闭系统固定时间唤醒。
设置参数Enabled/Disabled,默认Disabled。
时间设置:
Wake Up Hour(时)/Wake Up minute(分)/Wake Up second(秒)。
7-2、Wake System with Dynamic Time(系统动态时间唤醒)
开启/关闭系统动态时间唤醒。
设置参数Enabled/Disabled,默认Disabled。
时间设置:
Wake Up minute increase(唤醒的时间增量,以分计),比如20分钟唤醒,就键入20。
7-3、PS2KB Wake Up(PS2键盘唤醒)
开启/关闭PS2键盘唤醒。
设置参数Enabled/Disabled,默认Disabled。
7-4、PS2MS Wake Up(PS2鼠标唤醒)
开启/关闭PS2鼠标唤醒。
设置参数Disabled(关闭)/Any key(任意键)/Special String(指定字符串),默认Disabled。
设定指定字符串后,需要键入字符串。
7-5、On Board LAN Wake Up(板载网卡唤醒)
开启/关闭 板载网卡唤醒。
设置参数Enabled/Disabled,默认Disabled。
7-6、Restore on AC Power Loss(AC掉电后恢复)
设置AC掉电后恢复供电时机器的状态。
设置参数有:Power on(开机)/Power off(关机)/Last start(最后状态),默认是Power off(关机)。
7-7、ACPI Settings(ACPI设置)
7-7-1、Enable ACPI Auto Configuration(允许ACPI自动配置)
开启/关闭ACPI自动配置。
设置参数Disabled/Enabled,默认Disabled。
如果设置为Enabled,下面的2项设置就不需要了。
7-7-2、Enabled Hibernation(允许休眠)
开启/关闭休眠。
设置参数Disabled/Enabled,默认Enabled。
7-7-3、Lock Legacy Resource(锁定传统资源)
允许/禁止锁定传统资源。
设置参数Disabled/Enabled,默认Disabled。
TCL:列地址选通潜伏时间,指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存单元是按矩阵排列的,读写内存单元中的数据,首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的。当内存读写请求触发后,最初是TRP(Active to Pre charge Delay:预充电延迟),预充电后,内存才真正开始初始化RAS(内存行地址选通)。一旦TRAS激活后,RAS(Row Address Strobe行地址选通 )开始对需要的数据进行寻址。首先是“行”地址,然后初始化TRCD(RAS to CAS Delay行地址到列地址延迟),接着通过CAS(列地址选通)访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失数据,因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时,如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率,所以需要对内存超频时,应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大, 是JEDEC规范中排在第一的参数,CAS值越低,内存读写操作越快,但稳定性下降,相反数值越高,读写速度降低,稳定性越高。参数范围3-15。
TRCD(RAS to CAS Delay):行地址到列地址的延迟时间,这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能,如果该值设置太低,同样会导致系统不稳定。参数范围3-15。
TRP(Row pre charge Delay):行地址选通预充电时间。这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期(比如从一个Bank转换到下一个Bank)。预充电参数小可以减少预充电时间,从而更快地激活下一行。
但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质,参数小将获取最高的性能,但可能会造成行激活之前的数据丢失,内存控制器不能顺利地完成读写操作,从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。参数范围3-15。
TRTP(DRAM READ to PRE Time):内部读取到预充电命令时间,这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小,系统运行很快,但不稳定。参数范围4-15。
TRAS(Row active Strobe):行地址选通。这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间。也就是“内存行有效至预充电的最短周期”,调整这个参数要根据实际情况而定,并不是说越大或越小就越好。如果TRAS的周期太长,系统会因为无谓的等待而降低性能。降低TRAS周期,则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果TRAS的周期太短,则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输,这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + TRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能,应尽可能降低TRAS的值,但如果发生内存错误或系统死机,则应该增大TRAS的值。参数范围9-63。
TRRD(Row to Row Delay):行到行延迟。也称为RAS to RAS delay ,表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即:REF指令)之间的时间间隔。TRRD值越小越好。延迟越低,表示下一个bank能更快地被激活,进行读写操作。然而,由于需要一定量的数据,太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况,需将此值设定较高的时钟参数。参数范围4-15。
TWTR(Write to Read Delay):写到读延时。这个参数设定向DDR内存模块的同一个单元中,在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。TWTR值偏高,降低了读性能,但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能,但系统会不稳定。参数范围3-31。
TFAW(DRAM FOUR ACT WIN Time):内存四项动作成功时间。该选项通常设置为Auto即可,对性能以及稳定性影响不大。参数范围4-63。
8-3、CPU Ratio(CPU倍频)
CPU倍频设置参数:Auto/倍频,默认Auto。
8-4、VGA Clock Control(VGA时钟控制)
设置参数Auto(自动)/Manual(手动),默认自动。
如果设置为手动,就要手动设置频率。
8-5、CPU Over Voltage(CPU超电压)
8-6、DDR Over Voltage(DDR超电压)
8-7、NB Over Voltage(NB超电压)
上述三项超电压,都是从电压菜单中选择。
8-8、Memory Stable Function(内存稳定功能)
开启/关闭内存稳定功能。
设置参数Enabled/Disabled,默认Disabled。