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以前，光子计数器建立在三种不同技术平台上。其中之一是以真空管为基础的光电倍增管（PMT）。这些探测器具有光探测面积大的优点，可用于各种器件。此外，庞大的市场使得PMT探测器的成本降到了合理水平。但PMT探测器要求工作电压超过1000V，时间精度也很差（约为500ps），量子效率由于受到光电阴极限制而约为20％，更重要的是它们与高密度阵列技术不兼容，也无法实现微型化。微通道板（MCP）是一种改进的PMT，它显著提高了时间精度（少于100ps），但动态范围受限（100kHz/s）。此外，MCP探测器非常昂贵且容易毁坏。 第二种光子计数平台以第一代“透过式”硅探测器结构为基础。该平台需要高电压（超过100伏），依赖厚的耗尽层。尽管厚耗尽层在较长的波长（约1000nm）处具有高响应度，但是时间精度却降低了。而且，透过式结构也不与标准硅工艺技术兼容，在阵列中无法使用，因此完全不能用于成像。 第三种光子计数传感器技术平台是电子倍增电荷耦合器件（EMCCD），它是在标准CCD相机的基础上，将增益寄存器集成到输出电路中。这是一种多像素成像器件（可达1000?000），但是因为其特殊的数据读取装置，会丢失全部时间分辨率信息。EMCCD也需要强力冷却（温度要降到-100℃），这使得器件复杂而昂贵。 |
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