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电荷注入（charge-injection）是mos开关常见的一个问题，在这里简单的说一下： 具体的问题来源下图是电荷注入问题的示意，MOS管导通时在沟道区会存在沟道电荷，在导通或关断的瞬间，此电荷流入或流出MOS开关，因此会改变对应节点的电压，引入误差
一般在开关开启时，由于输出和输入相接，Vo跟随Vi，故电荷注入导致Vo的瞬时变化常可以忽略；而在开关断开时，电荷流出开关管在Vo端引入电压的跳变，而此时开关已断开，此Vo信号的误差无法恢复。故此，我们主要主要关心的是开关关断时的电荷注入问题 另，当开关控制信号跳变足够快时，一般认为沟道电荷近乎平均的流到开关管的两边 解决（改善）方法下面是常见的改善电荷注入问题的方法： 1. dummy 管的结构
注意这里M2一般选取为M1尺寸的一半，且其导通略晚于M1管的关断以吸收M1的电荷，其关断略早于M1的导通以避免M2自身的电荷对Vo节点的影响 2. CMOS开关的方法
利用CMOS的互补开关来减小其影响 3. 并联开关的方法
小尺寸的开关管MB，其控制信号略晚于开关管MA的控制信号，从而在MA关断时仍有MB形成的通路，时的此时的vo任然跟随Vi，从而减小MA的电荷注入的影响 4. 其他的补偿方法
如上图所示, 通过在正输入端的补偿, 来减小负输入端的电荷注的影响 5. 全差分的结构
通过采用全差分的结构, 将电荷注入导致的误差作为共模干扰以抑制 |
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