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nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光等） 今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下. 三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下： 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte） 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G 00 : NONE 6~7. organization 00 : NONE 08 : x8 16 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/ nB 4 : Quad nCE & Single R/ nB 5 : Quad nCE & Quad R/ nB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation 11. "─" 12. Package A : COB B : TBGA C : CHIP BIZ D : 63-TBGA E : TSOP1 (Lead-Free, 1217) F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : TBGA (Lead-Free) I : ULGA (Lead-Free) J : FBGA (Lead-Free) K : TSOP1 (1217) L : LGA M : TLGA N : TLGA2 P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : TSOP2-R S : SMART MEDIA T : TSOP2 U : COB (MMC) V : WSOP W : WAFER Y : TSOP1 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) 3 : Wafer Level 3 14. Bad Block A : Apple Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Sandisk Bin L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) 15. NAND-Reserved 0 : Reserved 16. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】 K 9 G A G 0 8 U 0 M - P C B 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 K9GAG08U0M 详细信息如下: 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) G : MLC Normal 4~5. Density AG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB) 6. Technology 0 : Normal (x8) 7. Organization 0 : NONE 8 : x8 8. Vcc U : 2.7V~3.6V 9. Mode 0 : Normal 10. Generation M : 1st Generation 11. "─" 12. Package P : TSOP1 (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial 14. Customer Bad Block B : Include Bad Block 15. Pre-Program Version 0 : None 整体描述就是： K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。 Hynix 海力士 H 2 7 X X X X X X X X X - X X (1) HYNIX (2) PRODUCT FAMILY (4) POWER SUPPLY(VCC) (8) NAND CLASSIFICATION (7) ORGANIZATION (14) BAD BLOCK (11) PACKAGE TYPE 2 : Flash S: SLC + Single Die + Small Block A: SLC + Double Die + Small Block B: SLC + Quadruple Die + Small Block F: SLC + Single Die + Large Block G: SLC + Double Die + Large Block H: SLC + Quadruple Die + Large Block J: SLC + ODP + Large Block K: SLC + DSP + Large Block T: MLC + Single Die + Large Block U: MLC + Double Die + Large Block V: MLC + Quadruple Die + Large Block W: MLC + DSP + Large Block Y: MLC + ODP + Large Block C: Included Bad Block E: 1~5 Bad Block Included M: All Good Block I: TSOP1 B: WSOP S: USOP P: LSOP1 T: FBGA V: LGA S: WLGA N: VLGA F: ULGA X: Wafer M: PGD1 (chip) Y: KGD U: PGD2 W: 1st C: 2nd K: 3rd D: 4th M A B C (5), (6) DENSITY 1: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Enable 2: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Disable 4: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Enable 5: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Disable D: Dual Interface; Sequential Row Read Disable F: 4 nCE & 4 R/nB ; Sequential Row Read Disable micron镁光nand命名规则 www./support/designsupport/documents/png Standard NAND Flash Part Numbering System Micron's part numbering system is available at Standard NAND Flash* MT 29F 2G 08 A A A WP - xx xx xx xx ES : A Micron Technology Design Revision (shrink) A = 1st design revision 1. Single-Supply Flash 29F = Single-Supply NAND Flash Production Status 29H = High Speed NAND Blank = Production ES = Engineering samples 2. Density QS = Qualification samples 1G = 1Gb MS = Mechanical samples 2G = 2Gb 4G = 4Gb Operating Temperature Range 8G = 8Gb Blank = Commercial (0°C to +70°C) 16G = 16Gb ET = Extended (–40°C to +85°C) 32G = 32Gb WT = Wireless (–25°C to +85°C) 64G = 64Gb 128G = 128Gb Block Option (Reserved for use) 256G = 256Gb Blank = Standard device 3. Device Width Flash Performance 08 = 8 bits Blank = Full specification 16 = 16 bits 4. Speed Grade (MT29H Only) Classification 15 = 133 MT/s 12 = 166 MT/s 5. Mark Bit/cell Die RnB A SLC 1 1 Package Code B SLC 2 1 WP = 48-pin TSOP I (CPL version) (Pb-free) C SLC 2 1 WC = 48-pin TSOP I (OCPL version) (Pb-free) D SLC 2 2 H1 = 100-ball VFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.0 E SLC 2 2 H2 = 100-ball TFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.2 F SLC 4 2 HC = 63-ball VFBGA, 10.5 x 13 x 1.0 G SLC 4 2 C2 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.4 (use TBD) J SLC 4 + 4 2 + 2 C3 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.65 K SLC 8 4 C4 = 52-pad VLGA, 12 x 17 x 1.0 (SDP/DDP/QDP) Z SLC 1 NA C5 = 52-pad VLGA, 14 x 18 x 1.0 (SDP/DDP/QDP) C6 = 52-pad LLGA, 14 x 18 x 1.47 (8DP, QDP, DDP) M MLC 1 1 C7 = 48-pad LLGA, 12 x 20 x 1.47 (8DP) N MLC 2 1 SWC = 48-pin Stacked TSOP (OCPL version) (Pb-free) P MLC 2 1 SWP = 48-pin Stacked TSOP (CPL version) (Pb-free) Q MLC 2 2 R MLC 2 2 Generation (M29 only)/Feature Set T MLC 4 2 A = 1st set of device features U MLC 4 2 B = 2nd set of device features (rev only if different than 1st set) V MLC 4 + 4 2 + 2 C = 3rd set of device features (rev only if different) W MLC 8 4 D = 4th set of device features (rev only if different) Y MLC 8 4 etc. 6. Operating Voltage Range A = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 3.3V (2.70–3.60V) B = 1.8V (1.70–1.95V) C = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 1.8V (1.70–1.95V) *Contact Micron for help differentiating between standard and next-generation NAND offerings 三星内存颗粒 编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 ///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// Micron内存颗粒 Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 A2——内存内核版本号。 TG——封装方式，TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。 ///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// 西门子内存颗粒 目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 例如： 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。 ///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// Kingmax内存颗粒 Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度； KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度； KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度； KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度； KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7A——PC133 /CL=2； -7——PC133 /CL=3； -8A——PC100/ CL=2； -8——PC100 /CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 内存颗粒编号与内存品牌知识介绍 通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量 ///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// HY颗粒编号 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A ///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// TOSHIBA DDR内存: TC XX X XX XX X XX X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、TC代表是东芝的产品 2、59代表SDRAM代表是SDRAM 3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM 4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb 5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新 7、代表封装：FT为TSO II封装 8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通 9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3 ///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// 宇瞻DDR内存: W XX XX XX XX 1 2 3 4 5 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H； 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz |
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