存储颗粒主要有这样的一些品牌:美国的Micron(美光)、德国的Infineon(英飞凌);韩国的SAMSUNG(三星)、HY(现代);日本的NEC(日本电气)、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝);台湾的EilteMT、ESMT(晶豪)、EtronTech(钰创)、Winbond(华邦)、Mosel(茂矽)、Vanguard(世界先进)、Nanya(南亚)。 有的品牌现在已经没有被采用了,只有在SDRAM时代采用过,有的品牌在DDR时代采用的也不多了。显存种类主要分SD和DDR两种,有时候,他们可以从编号上区分,DDR的可能会注明“D”,SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分,以TSOP封装来说,SDRAM的管脚数量是27x2=54,DDR的管脚数量为33X2=66。 美光(Micron)
图1 美光芯片颗粒 美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商,目前显卡厂商采用它显示芯片较少,它主要供应内存OEM商,下面用上图的实例对Micron(美光)颗粒编号的简单含义作介绍: MT——Micron的厂商名称。 亿恒(In fineon) 图2 Infineon(亿恒)颗粒 Infineon是德国西门子的一个分公司,它主要生产内存颗粒。目前,Infineon在全球排名已经跃居为第四位,超过了韩国的Hynix。它的编号简单,编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。它的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。 韩国三星(Samsung)
图3 三星颗粒(左边为采用TSOP封装DDR颗粒,右边为采用TSOP封装的SD颗粒) 图4 采用mBGA封装方式的DDR显存颗粒 韩国现代(Hynix)
图5 现代的颗粒(左图为DDR颗粒,右图为SD颗粒) 图6 采用mBGA封装方式的颗粒 韩国现代公司的显存,应该为大多数朋友熟悉了。目前全球排名第四位,它的产品线也是很丰富的,在内存中,现代HY是物美价廉的代表。第一个编号为HY5DV641622AT-36的颗粒,它是DDR显存颗粒,第4位的字母“D”即代表为DDR,单颗64/8=8MB,速度为3.6ns;第二颗编号为HY57V641620HG T-6,它是SDR颗粒,它的第6、7两位标称了显存单颗粒为64/8=8MB,8,9两位代表了显存位宽为16bit,T-6表示速度为6ns,一般以-2A的标识方式进行标注。 台湾晶豪电子 图7 EilteMT颗粒 台湾晶豪电子是台湾5大内存芯片厂商之一,它近年来发展迅速,主要中国大陆显卡商采用它的颗粒较多。这颗显存编号为-5.5Q,9948S M32L32321SB,-5.5Q代表显存的速度为5.5ns,对应的运行速度=1/5.5=183MHz;9948S表示封装日期为99年第48周;第二行中的3232表示容量为32/8=4MB,数据带宽为32bit。 图8 ESMT颗粒 这颗显存编号为M13L128168A-4T,5、6、7位的128表示单颗是128/8=16MB,8、9位表示位宽16bit,最后的-4T表示速度为4ns。 台湾钰创科技 图9 钰创颗粒 台湾钰创科技为最近兴起的存储芯片领域里的一颗新星,它的内存颗粒被各大显卡产商大量采用,品质性能都非常不错。这颗显存编号为EM658160TS-4.5,其中EM代表EtronTech(钰创)显存,65代表容量为64/8=8MB,16代表数据带宽为16bit。T代表工作电压为2.5V,S代表种类为DDR SDRAM。4.5代表显存速度为4.5ns,额定工作频率为230MHz。 南亚科技(NANYA) 南亚科技是全球第六大内存芯片厂商,也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司,它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K,其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存,6、7位8M表示单颗粒容量8M,8、9位16表示单颗粒位宽16bit,-7K表示速度为7ns。
图11 winbond颗粒 台湾华邦为台湾5大内存芯片厂商之一,近年来,大陆客户采用它的内存颗粒较多,因此为我们较熟悉的一种品牌。这颗粒编号为W946432AD-5H,第1位W为台湾华邦显存颗粒开头标志,编号中的4、5为64表示单颗显存为64/8=8Mb,第6、7为32表示单颗粒位宽为32位,第9位D表示位DDR颗粒,后面的第11、12位表示颗粒速度位5ns。 台湾茂矽(MOSEL) 图12 MOSEL显存颗粒 台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商,对大陆供货不多,因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45,从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8=8MB,从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit,从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns。 关注:电子发烧友 精彩内容抢鲜知! |
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