|
场效应管的使用注意事项 使用氖气辉光灯泡时应注意以下事项:
①使用氖气辉光灯泡时必须串接限流电阻。限流电阻的阻值可由下式确定: 
②电源电压应高于氛灯最大启辉电压25% 。
③应用交流电压的氛灯也可以用于直流电路，这时氖灯的启辉电压应增加1 .4倍。
④氖灯电极若为非对称结构，则面积大的电极为负极，面积小的电极为正极。对称性电极不分正负，当发光时，只有一个电极发光。
⑤亮度与使用寿命有关。当选择的限流电阻值较小时，氛灯启辉亮度增加，但寿命下降;反之，则亮度暗一些，但会使寿命有所增加。 场效应管特点
1.场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,应此对于信号源额定电流极小的情况下，常选用场效应管。
2.场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电。但少子受环境影响明显。
3.场效应管FET和晶体管BJT一样具有放大作用，而且这两种放大元件间存在着电极对应关系G-b，S-e，D-c。因此根据BJT电路，即可得到与之对应的FET放大电路。但不能简单地加以替换，否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。
4.场效应管S极和D极是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。
5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样，必须选择合适的静态工作点，栅极必须有合适的偏压，但不出现偏流，对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同，特列如下：
| 类型 | VGS | VDS | 类型 | VGS | VDS | | N沟道JFET | 负 | 正 | P沟道JFET | 正 | 负 | | N沟道EMOS | 正 | 正 | P沟道EMOS | 负 | 负 | | N沟道DMOS | 正/负 | 正 | P沟道DMOS | 正/负 | 负 |
注：JFET表示结型场效应管，DMOS表示耗尽型场效应管；EMOS表示增强型场效应管。
自给偏压电路
如图，为自给偏压电路。电容对Rs起旁路作用——源极旁路电容。 
自给偏压电路
注：增强型场效应管（MOSFET）只有G—S间电压先达到某个开启电压VT时才有ID，所以自偏压不适用于增强型MOSFET。
分析：当Is流过Rs时产生Vs压降对地是负值。所以，VGS=VG-VS=-ISRS=-IDRS
问题是：VGS决定于ID而ID又随VGS变化而变化，如何能确定ID、VGS之值呢？下面内容介绍两种解法。
图解法
步骤：
（1）作直流负载线（从输出回手）
直流负载线于输出特性曲线的不同VGS的交点，即管子内部方程与输出回路方程的联立解，表明电路中ID，VDS，VGS的数值必在这些交点上。
(2)利用直流负载线上的点作转移特性曲线。
（3）定静态工作点Q（从G极回路入手）因Q还应满足输入回路，所以作输入回路的直流负载线VGS=-IDRS，如图。
（4）代入数据，得Q：VGS，VDS，ID 
计算法
计算法采用下列公式求解:   式子的IDSS称为饱和电流，即为VGS=0时ID的值；VP称为夹断电压，当VGS=VP时，漏极电流ID为0。 让我们来看一个例子,电路如图. 已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述两个公式得：   求解此两方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA 因为-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合题意，舍去，故静态漏极电流IDQ为 IDQ=0.30mA； 静态管压降VGSQ、VDSQ分别为   各种场效应管特性比较 
场效应管特点:
具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
作用:
场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.
场效应管可以用作电子开关.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
|
