结型场效应管 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 场效应管分为结型和MOS型两种,结型包括N沟沟道和P沟道,MOS型也包括N沟道和P沟道两种,它们分别包含了增强型和耗尽型。 1. N沟道结型场效应管的结构和符号 箭头方向表示栅结正偏或正偏时栅极电流方向。 N沟道结型场效应管结构动画 (1)VGS对导电沟道的影响: (a) VGS=0,VDS=0,ID=0 VP(VGS(OFF) ):夹断电压栅源之间是反偏的PN结,RGS>107Ω,所以IG=0 (b) 0<│VGS│< │VP│ (c) |VGS | = │VP│ , │VGS│↑→耗尽层变宽 导电沟道被全夹断 (2)VDS>0 但|VGS-VDS| < | VP | ,时 (a) VDS增加,d端电位高,s端电位低,导电沟道内存在电位梯度,所以耗尽层上端变宽。 (b)| VGS- VDS | = | VP |时,导电沟道在a点相遇,沟道被夹断。 VGS=0时,产生夹断时的ID称为漏极饱和电流IDSS (c) VDS↑→夹端长度↑场强↑→ ID=IDSS基本不变。 输出特性: 表示VGS一定时,iD与VDS之间的变化关系。 结型场效应管的输出特性动画 (1) 截止区(夹断区) (2) 放大区(恒流区)产生夹断后,VDS增 │VGS -VDS │≥│VP│ VDS↑→ID不变 处于恒流区的场效应管相当于一个压控电流源 (2) 饱和区(可变电阻区) 未产生夹断时,VDS增大,ID随着增大的区域 │VGS -VDS│≤│VP│ VDS↑→ID 处于饱和区的场效应管相当于一个压控可变电阻 结型效应管的工作原理动画 转移特性 : 表示vDS一定时,iD与vGS之间的变化关系。 场效应管的转移特性曲线动画 转移特性描述了在VDS一定时,VGS对iD的控制作用。可直接从输出特性曲线上做图求出。 当|VGS - VDS |≥ | VP |后,管子工作在恒流区,VDS对iD的影响很小。实验证明,当|VGS - VDS |≥ | VP | 时,iD可近似表示为: 结型场效应管(JFET)的结构及工作原理 一、结型场效应管的结构 如图1(a)所示,在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+区,就形成两个不对称的P+N结,即耗尽层。把两个P+区并联在一起,引出一个电极g,称为栅极,在N型半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极s和漏极d。它们分别与三极管的基极b、发射极e和集电极c相对应。夹在两个P+N结中间的N区是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管,它在电路中用图1(b)所示的符号表示,栅极上的箭头表示栅-源极间的P+N结正向偏置时,栅极电流的方向(由P区指向N区)。 N沟道JFET的结构剖面图 图2 如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区,就可以制成一个P沟道的结型场效应管。图2给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。 由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向,可以确认沟道的类型。 二、工作原理 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同,现以N沟道结型场效应管为例,分析其工作原理。 N沟道结型场效应管工作时,需要外加如图1所示的偏置电压(鼠标单击图1中“结型场效应管的工作原理”),即在栅-源极间加一负电压(vGS<0),使栅-源极间的P+N结反偏,栅极电流iG≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108W左右)。在漏-源极间加一正电压(vDS>0),使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流iD。iD的大小主要受栅-源电压vGS控制,同时也受漏-源电压vDS的影响。因此,讨论场效应管的工作原理就是讨论栅-源电压vGS对沟道电阻及漏极电流iD的控制作用,以及漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响。(再单击图1中“结型场效应管的工作原理”,并分别单击其下方的三排热字) 详细说明: 1.vGS对沟道电阻及iD的控制作用 (a) vGS=0的情况 (c) vGS≤VP 图2 图2所示电路说明了vGS对沟道电阻的控制作用。为便于讨论,先假设漏-源极间所加的电压vDS=0。当栅-源电压vGS=0时,沟道较宽,其电阻较小,如图2(a)所示。当vGS<0,且其大小增加时,在这个反偏电压的作用下,两个P+N结耗尽层将加宽。由于N区掺杂浓度小于P+区,因此,随着|vGS| 的增加,耗尽层将主要向N沟道中扩展,使沟道变窄,沟道电阻增大,如图2(b)所示。当|vGS| 进一步增大到一定值|VP| 时,两侧的耗尽层将在沟道中央合拢,沟道全部被夹断,如图2(c)所示。由于耗尽层中没有载流子,因此这时漏-源极间的电阻将趋于无穷大,即使加上一定的电压vDS,漏极电流iD也将为零。这时的栅-源电压称为夹断电压,用VP表示。 上述分析表明,改变栅源电压vGS的大小,可以有效地控制沟道电阻的大小。若同时在漏源-极间加上固定的正向电压vDS,则漏极电流iD将受vGS的控制,|vGS|增大时,沟道电阻增大,iD减小。上述效应也可以看作是栅-源极间的偏置电压在沟道两边建立了电场,电场强度的大小控制了沟道的宽度,即控制了沟道电阻的大小,从而控制了漏极电流iD的大小。 2.vDS对iD的影响 (a)vDS<vGS-VP的情况 (c)vDS>vGS-VP的情况 图3 设vGS值固定,且VP<vGS<0。当漏-源电压vDS从零开始增大时,沟道中有电流iD流过。由于沟道存在一定的电阻,因此,iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等,漏极端电位最高,源极端电位最低。这就使栅极与沟道内各点间的电位差不再相等,其绝对值沿沟道从漏极到源极逐渐减小,在漏极端最大(为 |vGD| ),即加到该处P+N结上的反偏电压最大,这使得沟道两侧的耗尽层从源极到漏极逐渐加宽,沟道宽度不再均匀,而呈楔形,如图3(a)所示。 在vDS较小时,它对iD的影响应从两个角度来分析:一方面vDS增加时,沟道的电场强度增大,iD随着增加;另一方面,随着vDS的增加,沟道的不均匀性增大,即沟道电阻增加,iD应该下降,但是在vDS较小时,沟道的不均匀性不明显,在漏极附近的区域内沟道仍然较宽,即vDS对沟道电阻影响不大,故iD随vDS增加而几乎呈线性地增加。随着vDS的进一步增加,靠近漏极一端的P+N结上承受的反向电压增大,这里的耗尽层相应变宽,沟道电阻相应增加,iD随vDS上升的速度趋缓。 当vDS增加到vDS=vGS-VP,即vGD=vGS -vDS=VP(夹断电压)时,漏极附近的耗尽层即在A点处合拢,如图3(b)所示,这种状态称为预夹断。与前面讲过的整个沟道全被夹断不同,预夹断后,漏极电流iD≠0。因为这时沟道仍然存在,沟道内的电场仍能使多数载流子(电子)作漂移运动,并被强电场拉向漏极。若vDS继续增加,使vDS>vGS-VP,即vGD<VP时,耗尽层合拢部分会有增加,即自A点向源极方向延伸,如图3(c),夹断区的电阻越来越大,但漏极电流iD却基本上趋于饱和,iD不随vDS的增加而增加。因为这时夹断区电阻很大,vDS的增加量主要降落在夹断区电阻上,沟道电场强度增加不多,因而iD基本不变。但当vDS增加到大于某一极限值(用V(BR)DS表示)后,漏极一端P+N结上反向电压将使P+N结发生雪崩击穿,iD会急剧增加,正常工作时vDS不能超过V(BR)DS。 从结型场效应管正常工作时的原理可知:① 结型场效应管栅极与沟道之间的P+N结是反向偏置的,因此,栅极电流iG≈0,输入阻抗很高。② 漏极电流受栅-源电压vGS控制,所以场效应管是电压控制电流器件。③ 预夹断前,即vDS较小时,iD与vDS间基本呈线性关系;预夹断后,iD趋于饱和。 P沟道结型场效应管工作时,电源的极性与N沟道结型场效应管的电源极性相反。
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