MOS管分类及特点

功率MOSFET可分成两类：P沟道及N沟道：中间箭头向里的是N沟道而箭头向外的是P沟道。它有三个极：漏极（D）。源极（S）及栅极（G）。有一些功率MOS-FET内部在漏源极之间并接了一个二极管或肖特基二极管，这是在接电感负载时，防止反电势损坏 MOSFET。这两类MOSFET的工作原理相同，仅电源电压控制电压的极性相反。

OS场效应管 

有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大

类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极： 

D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极； 

G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极； 

S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。 

优势： 

1、mosfet是电压控制型器件，因此在驱动大电流时无需推动级。电路较简单 

2、输入阻抗高，可达百兆Ω以上 

3、工作频率范围宽，开关速度高（开关时间为几十纳秒到几百纳秒），开关

损耗小 

4、有较优良的线性区，并且mosfet的输入比双极型的输入电容小得多，所以

它的交流输入阻抗极高，噪声也小，最适合制作Hi-Fi音响 

5、功率mosfet可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流。 

· 功率MOSFET都是增强型MOSFET，它具有优良的开关特性。近年来，功率MOSFET广泛地应用于电源、计算机及外设（软、硬盘驱动器、打印机、扫描器等）、消费类电子产品、通信装置、汽车电子及工业控制等领域。

除少数应用于音频功率放大器，工作于线性范围，大多数用作开关和驱动器，工作于开关状态，耐压从几十伏到上千伏，工作电流可达几安培到几十安培。功率MOSFET都是增强型MOSFET，它具有优良的开关特性。

根据以上对功率 MOSFET 特性的分析,其驱动通常要求:触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;②开通时以低电阻力栅极电容充电,关断时为栅极提供低电阻放电回路,以提高功率 MOSFET 的开关速度;③为了使功率 MOSFET 可靠触发导通, 触发脉冲电压应高于管子的开启电压,为了防止误导通,在其截止时应提供负的栅源电压;④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流,功率管极间电容越大,所需电流越大,即带负载能力越大

型号和替换

 选型考虑的参数耐压(V) 电流(A) 功率(W) 2. 型号 

 2SK2225-E-Q  （瑞萨 ） 

2SK2225-80-E两款瑞萨高压MOSFET。主要应用于变频器行业、电源行业。高压MOSFET替代2SK1317。2SK1317半塑封装，带有散热片。2SK2225-E-Q 老版本2SK2225-80-E 为新版本 

 NDF10N60ZG    （安森美 ）

IR 品牌 型号 电压（V） 电流（A） 功率（W） 导通电阻(Ω) 封装型式 IR IRF150 100 40 150 0.055 TO-204 IRFP150 100 40 180 0.055 TO-247 IRF540 100 28 150 0.077 TO-220 IRF530 100 14 80 0.16 TO-220 IRF9530 -100 -12 75 0.3 TO-220 IRF520 100 9.2 60 0.27 TO-220 IRF230 200 9 75 0.4 TO-204 IRF250 200 30 150 0.085 TO-204 IRFP250 200 30 180 0.085 TO-247 IRF620 200 5 40 0.8 TO-220 IRF630 200 9 75 0.4 TO-220 IRF640 200 18 125 0.18 TO-220  IRF9640 -200 -11 125 0.5 TO-220 

 IRFR220 200 4.6 50 0.8 TO-252 

 IRFP460 500 20 250 0.27 TO-247 

 IRF450 500 13 125 0.4 TO-204 

 IRFP450 500 13 180 0.4 TO-247 

 IRFP440 500 8 180 0.85 TO-247 

 IRF840 500 8  125 0.85 TO-220 

 IRF830 500 4.5 75 1.5 TO-220