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首先计算管子上需要承受的电流，I = W / U，比如做1000W的逆变器，输出交流220V ，那么平均电流大约在5A， 然后去选择管子，MOSFET有项指标叫Id，比如IRF840的管子Id为8A，IRFP460的管子的Id为20A，这样表面看貌似1000W的逆变器采用IRF840也勉强可以胜任，IRFP460则绰绰有余，这时我们还要计算管子的耗散功率，就是发热情况 所以要考虑管子的导通阻抗，比如IRF840的导通阻抗Rds(on)是0.85欧，那么在管子上产生的发热功率是5*5*0.85 = 20W，而且还不考虑开关损耗带来的发热，那么肯定是要炸管的；如果采用IRFP460，导通阻抗Rds(on)是0.27欧，那么发热功率是5*5*0.27 =6.75W，那么加个大一点的散热片还是可以完成的 在MOSFET选型时,Rds(on)是一个重要指标，需要考虑系统的散热能力，选择适合的管子，我见过很多人说管子明明可以承受多少多少电流，但最后还是烧管，其中很多都是没有考虑管子的发热情况 |
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