先上原理图.
B 参数计算：
变压器：
频率;?=65K
输入电压范围：Pin=100-240V
输出电压：Po=12V
效率：η=84%
Vcc供电电压：Vcc=15.5V
最大占空比：Dmax=0.45
ΔB=0.2
1、最小直流电压：Vinmin=90*1.2=108V
2、最大直流电压：Vinmax=264*1.414=375V
3、选择磁芯：AP=【(Po/η Po)*10000】/(2*ΔB*?*J*Ku)
=【(24/0.84 24)*10000】/(2*0.2*65*1000*400*0.2)
=525714/2080000 0.25 cm4
J电流密度=400 Ku绕组系数=0.2
选择EF25 AP=0.237cm4 AE=51.8mm2
4、Ton计算： Ton=T*D=1/6/5000*0.45=6.9us
5、初级计算： Np=VINmin*ton/ΔB/AE 108*6.9/0.2/51.8 72T
6、次级匝数计算： NS=(Vo Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax)
=(12 0.6)*(1-0.45)*72/(108*0.45) 10T
7、匝比计算：N=Np/Ns=72/10=7.2T
8、电流平均值：Iav=Po/η/Vinmin=24/0.84/108 =0.265A
9、峰值电流计算 Ipk=Iav*2/Dmax=0.265*2/0.45=1.178A
10、电流变化率ΔI 计算：CCM Ip2=3Ip1 Ipk=Ipk1 Ipk2
IP1=1.178/4=0.2965A IP2=1.178-0.2695=0.884A
ΔI =Ip2-Ip1
=0.884-0.2965=0.5865A
11、电流有效值：Irms=IPK*
=1.178*0.512=0.6A
Krp(0.4-0.6) ΔI/Ipk=Krp 最大电流脉动系数
12、初级电感量计算：Lp=Vinmin*ton/ΔI=108*6.9/0.5865=1.27mH 13、验证是否饱和：ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae=1.27*1.178/72/51.8=0.4T<0.32T
太高了我们把感量降低一点1mH再验证
ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae=1*1.178/72/51.8=0.315T<0.32T
这里具体绕制时再去决定增加圈数还是降低绕组。
14、次级峰值电流：Ipks=Ipk*N=1.178*7.2=8.48A
15、次级有效值计算：Irms=IsPK*
=8.48*0.566=4.78A
12、初级线径计算：Dp=
*2 =0.178*2=0.35mm J=5-7 这里取6
13、次级线径计算：Ds=
*2 =0.39*2=0.78mm J取10
14、集肤深度：导线线径不超过集肤深度的2倍，若超过集肤深度，则需多股并绕。δ=66.1/√∫cm=66.1/254.95=0.259mm
0.259*2=0.52mm
多股线计算=0.78/根号股数=0.78/1.414=0.55mm*2 取0.5*2 或0.55*2
15、次级V/N=(12 0.6)/Ns=12.6/10==1.26/T
16、反馈绕组计算： Nvcc=Vcc/Va=15.5/1.26=12T
变压器参数：Lp：1mH
NP1： 38T 0.35mm
Ns：10T 0.5*2
Np2： 34T 0.35mm
Nvcc：12T 0.18
NP放在第一层这样每咋的长度最短减少匝间电容，起线放在MOS端使dv/di最大的部分被绕组屏蔽EMI较好，Vcc放在最外层Vcc满载不至于过压，放在初次级之间充当屏蔽。初次级之间加屏蔽，铜箔屏蔽要比线屏蔽效果好，线跟线之间存在缝隙。需要时磁芯外可以包外屏蔽但是屏蔽也是会产生损耗的效率会下降。
1、保险丝：Irmsmax=Iav/0.6 0.6无PFC 加PFC0.9
=0.265/0.6
=0.44A
If=Irmsmax*2 温度升高降额及安规要求降额
=0.88Amin
输入额定100-264V，选择耐压250V保险丝
额定电压：即保险丝熔断两端电压，大于输入额定电压即可250V
熔断积分：0.5*Ipk2*t=0.5*Ipk2*(1/T/2) 对表查看可开关的次数。
额定电流：电流承载能力。
分断能力：额定电压下，保险丝能够安全的开路，阻止电流上升至破坏值损毁元器件
保险丝参数：1A/250V
桥堆选择：
Vd=2√2*Vinmax=2*Vinmax=747V
加470V压敏防雷击后其残压越775V左右*1.1(它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻器两端所产生的电压此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的残压一定要小于被保护物的耐压水平。)
Vd=775*1.1=852.5V 471最大残压775V
BR1=5*Iav=5*0.265=1.325A
桥堆参数：1A/1KV
压敏选择：
1、压敏电阻：V1ma=a*Vinmax/b/c a：电压波动系数1.2 b：压敏误差系数0.85 c：压敏老化系数0.9
=1.2*374/0.85/0.9
=487.9V
1000/2=500A IEC61000-4-5浪涌波形发生器对外输出有2欧的电阻通容量500A，考虑到流通容量随次数增加衰减需选取2倍。
V1ma：阀值电压或击穿电压压敏不能持续流过mA级电流，此电压为流过1mA直流电流压敏电压。
限制电压Vc：为残压压敏击穿2端的电压。
流通容量：压敏承受规定的电流电压波形及次数后，压敏电压不可超过10%的最大冲击电流的峰值。
根据上述选型表选择7D471K
X电容
安规规定X电容超过0.1uF需要加释放电阻，保证输入断电1S内降到安全电压，输入峰值电压的37%
0.65*R*Cx=1 如Cx0.22uF
R=1/0.65/0.22=7Mmax Cx：uF R单位M
R=1/0.65/0.22=7M max 我们选择R1A 1M R1B 2M 这里还要注意耐压我们选择2颗1206贴片电阻
因其他放电回路X电容漏电流这些因数所以最好实测调试。
输入2pin为2类，输入3pin为1类，2类加强绝缘，1类基本绝缘。2类选择X2电容，容量越大传导效果越好。
输入最大值：264
X电容参数：X2 0.1uF/275V
电解电容选择：
当低电压和满载时，输入电流和纹波电压才是最大的，所以我们选择低压计算，因为我们电源是要保持输出电压调整率的，在桥式整流电路中，只有输入电压大于电解电容时桥堆导通才给电容充电，在桥堆不导通的时间内，输出的能量由电容提供，所以低压满载时电容的放电斜率是最大的即ΔV，整流桥的电流也是最大。
C=24/0.9/η/?min/Vacmin2=24/0.9/65/902=50uF
V>Vinmax(375V)
电解电容参数：47uF/400V
共模电感选择：
我不太喜欢去算太复杂。
先上一个20mH UU9.8 测试传导去改变感量
Ds=
*2=0.138*2=0.27mm
共模电感：20mH 0.27mm UU9.8
启动电阻R3 R4:
(Vinmin-Vcc)/启动电流=R=(108-15.5)/5=18M(max)
电阻太小启动时间太长，这里选择2M
PW=(108-15.5)*(108-15.5)/R=0.042W
两端电压 375V
R3 R4取值2M 1206
VCC电容、整流二极管、限流电阻选择。
VCC电容10-15uF 根据推荐值选取，耐压大于Vcc OVP值一般30V左右
CE2Vcc电容取值：10uF 50V
D2整流二极管 快管 DFR1M
R8限流电阻2-10R选择 10R
RCD吸收
D1 1N4007
R5//R6经验取100-200K 这里取R5200K R6200K 实际根据Vds效率调整
C2经验取102-222这里取102/1KV
计算方法：
Vsn(电容两端电压)=0.9*BVdss-Vin
VRO(反射电压)=(Vo Vd)/(NS/NP)
R=2(Vsn-Vor)*Vsn/(Lk*Ip*Ip*fs)
钳位电容的值C=Vsn/(ΔV*R*fs)
这个脉动电压ΔV取钳位电压Vsn的5%-10%
以上总结，算出来的结果还得再试验中得到验证，只能做个参考;所以我们应以计算为基础，根据实验来回调整，找到一个更适合你的值。还有吸收电阻R一定要考虑降额使用，满足功率要求。
R7限流电阻 减小di改善EMI，经验取47-100R，这里我用47R 1206
MOS选择：
Vor=(Vo Vd)/NS*NP=(12 0.6)/10*72=90.27
Vds=Vinmax Vor 漏感(90V) 30(余量)
=375 90.72 90 30V=586，选择600V的管子
I=Io*3 取(输出电流2-3倍)
MOS损耗Irms2*Rds=Psw
封装根据空间尽量取大点，扇热好温度低。
MOS参数：6N60 TO-220封装
MOS驱动及栅极下拉电阻。
R9经验值20R-47R
D3经验值1N4148，快速关短
R10栅极下来电阻 经验值10K
主要参考推荐值
CS电阻
Rcs=Vcs/(IpK*1.2)=0.875/(1.178*1.1)=0.675 Vcs阀值电压1.2余量
PR=Irms*Vcs=0.6*0.875=0.525W 5pcs1206
R12 R12A R13 R14 R15参数：3.3R1206
R11 C3参照参考值即可，RC滤波来消弱HV对CS脚冲击保护IC。CS脚上的波形比上面的波形平滑而且不会有那么多毛刺，因为有RC滤波。
R11 C3 参数：
R11 100R
C3 101/50V
C4 FB滤波 推荐值102/50
C5结3脚保护脚，不使用的情况下 推荐贴一颗电阻推荐值104/50V
肖特基选择：
反向电压(Vo Vd) Vinmax/Np*Ns=12.6 52=64.6V，余量64.6*2=77.52V
I=Io*5=2*5=10A
封装TO-220，主要看温度效率
肖特基参数：10A100VTO-220
C6R16吸收：C6：经验值102-222
R16：经验值20-47R
测试辐射再去调整
吸收参数：
C6：102/100V0805
R16：22R 0805
输出滤波：
电容电压(Vo Vd)*1.2=12.6*1.2=15.12V
容量 Io*6=1200uF
L1差模电感选择 10uF以内 线径 (Io/3.14/7)开根号*2=0.6mm
R17假负载 尽量大，(Vo Vd)/Pw=12.6/0.12=0.0095=I 1206Pw= 0.125W
(Vo Vd)/I=12.6/0.0095=1.326K
输出共模100uF左右线径 (Io/3.14/7)开根号*2=0.6mm
参数：CE3：680uF/16V CE4:680uF/16V
L1：3.3uF/06mm
R17：1.5K 1206
LF2：100uF/06mm
反馈：
R18=(Vo-VLED-V431)/If=(12-1.2-2.5)/0.012=691R 817 If：1-50mAmax 431:1-100mA If：取12Ma
取680R PW=(12-1.2-2.5)*0.012=0.0996W
VLED：1.2-1.4V
R19 1.2V/0.001A=1.2K
Pw=1.4V*0.001=0.0014W
(1 R1/R22)*2.5= (1 39K/N)*2.5=12V N=10K
Pw=12/(39k 10k)=0.00025w
参数：
R18： 680R 0805
R19：1.2K 0603
R21：39K 0603 1%
R22：10K 0603 1%
C8 R20：经验取值105And1K或104And10K
Y电容：
根据初级峰值电压选取Y1，Y1参数交流额定工作电压250V，直流额定工作电压400V；二类产品漏电流小于0.25mA CY=Ileakage/2/π/?/Vrmsmax=0.25/2/3.14/63/264*10-6=2.39nFmax
可以选择不超过2390pF的电容 我们先选择Y1 102/400V的根据EMI再去调整，也可以选择2个Y2串联。
Y电容参数：Y1 102/400V
C、调试经验。
1、保险丝保证正常工作电流不损坏，产品损坏大电流时，认证前面是接了一个空气开关之类的，保证在空气开关关断前先断开，断开后耐压保证不拉弧，额定100-240 250V保险丝即可，认证这一项只管满足额定即可，保险丝属于安规器件所以元器件就要满足安规比如我们做UL需要元器件有UL认证，3C元器件需做CQC认证。保险丝前后距离，海拔2000米大于2.0mm 海拔5000米大于2.5mm。
2、压敏电阻，我们做开关电源范围都是90-264，471的压敏即可，具体7D 10D 14D看我们打差模还是共模和几KV。属于安规器件所以元器件就要满足安规比如我们做UL需要元器件有UL认证，3C元器件需做CQC认证。在后级原件可以承受所打雷击时，可以不加。
3、X电容，大于0.11uF需要释放电阻来满足1S电压释放至37%，实际选择还是要看传导，电压需满足耐压我们电源属于消费类产品2类产品所以选择X2。属于安规器件所以元器件就要满足安规比如我们做UL需要元器件有UL认证，3C元器件需做CQC认证。容值越大传导越好。
4、 共模电感，经验是越大传导越好。碰过一次高压效率OK，低压效率低了就是因为这里线细了。
5、 CE1单电压220V取值Po*1,宽电压100-240V取值PO*2，电容太小可能会产生的问题低压带载不能起机，功率器件温度高，传导不好。
6、R3 R4启动电阻，太小空载功耗低能效低，高了起机时间慢。可以接在L N或者释放电阻去降低空载功耗。同样有起机时间慢的问题。
7、Vcc电容，尽量取大点，碰到过在满载转空载时电压有个跌落，进入欠压保护。并一个高频电容可以滤除高频杂波。
8、R5 R6 吸收电阻，一般选择100-200K小功率1颗中功率要用到2-3颗，具体看功率。越小Vds越低，能效越差。
9、C2吸收电容，选择102-222，电容越大Vds越低，能效越差。经验：更换材质可以降低噪声。
10、D1二极管，快慢管可以根据EMI噪声选择。经验慢管可以减少MOS关断时的震荡频率。
11、R7限流电阻，降低di，可以改善EMI。
12、R8限流电阻，限制VCC供电电流及滤除尖峰的作用，一般2-10R，调整这个电阻可以改变Vcc电压，尽量小一点有方案中遇到过大了，空载电压飘高。
13、D2整流管，尽量选择快管，碰到过使用慢管空载电压飘高，碰到一种情况VCC电压OVP，快管换慢管可以降低。
14、R9驱动电阻一般我取30-47R之间，大一点EMI好，但是效率会下来，这里遇到过问题，一个方案中大于39R，空载电压会跳。
15、D3快速释放 提高关断速度，减小电压电流交叉面积，减小损耗。因为布线中存在ESL，在驱动波形震荡厉害的情况下可以穿个小电阻来改善。
16、R10栅极下拉电阻，一般去10K，释放栅极结电容，防止误动作，可以接在S极或地。
17、C17在ds预留一个电容位置，改善EMI，100-101,太大影响效率。
18、R11 C3组成以个RC滤波选择按IC资料，主要有RC滤波,消隐,延时的作用具体看方案。C3不要太大，有碰到装104低压带载不能起机。
19、C4 FB滤波，SSR中没遇到过问题，在PSR方案中碰过，短路不保护炸机，可以在FB并一个小电容我是并了1个47pF。
20、3脚保护脚，这里我没用所以并个电容，据FAE介绍可以悬空。这里还可以做输出OVP，在输出做一个稳压电路接光耦过呀点亮FB拉低过压保护。
