IGBT的工作原理添加时间：2016-08-16 来源：艾特贸易网 | 阅读量：3
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IGBT的等效电路如图3-4所示。由图3-4可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成为低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：(1 IGBT的等效电路如图3-4所示。由图3-4可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成为低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定： (1) IGBT栅极与发射极之间的电压。 (2) IGBT集电极与发射极之间的电压。 (3) 流过IGBT集电极一发射极的电流。 (4) IGBT的结温。
图3-4 IGBT的等效电路 如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高，超过栅极一发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏。同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极一发射极之间的耐压，流过IGBT集电极一发射极的电流超过集电极一发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。 （责任编辑: 艾特贸易网 ）
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