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在Hot Chip2016大会中，我们可以见到不少关于GDDR5、DDR5以及HBM3的消息。 目前主流内存规格为DDR4、GDDR5X、GDDR5以及LPDDR4，还有HBM2，但科技的脚步一直往前走，所以我们将会在未来数年内见到DDR5、GDDR6、LODDR5以及HBM3出现。 我们最快会在2017年见到GDDR6、LPDDR5以及DDR5内存规格。
从既有的规划来看，GDDR6、LPDDR5以及DDR5内存规格会提供更佳的性能表现，当然在功耗部分也较过去要低不少。全新的GDDR6可以达到14Gbps，要比GDDR5的10Gbps和GDDR5X的12Gbps高出一些。至于LPDDR5正式登场前，中间会有LPDDR4X加入战局，目前韩系的SK Hynix与Samsung Electronics有相关产品规划。 如果拿之前最高3733Mbps的LPDDR4比较，新版LPDDR4X规格最高速度可达4266Mbps，可说高出不少，而且最重要部分在于LPDDR4X的VDD电压不会比LPDDR4要高。
从数据可以看出，相较于LPDDR4内存，全新的LPDDR4X可以降低2成功耗，对于使用这类型内存的智能手机而言，功耗可以降低当然是一件好事。 目前只有MWC 2016宣布的联发科Helio P20处理器支持LPDDR4X内存，只是这颗SoC搭配LPDDR4X有点突兀，而且联发科Helio P20至今仍未正式推出，预计可能要到2017年初才会有相关设备亮相。 至于HBM 3最快也要等到2019或是2020年才会推出，目前Samsung Electronics已经在IDF 2016的旧金山场放出一些信息。 DDR5部分最小容量会是8GB，单条最大容量可以达到32GB，带宽方面最大则是6.4Gbps，整体有所提升，但电压仍旧维持在1.1V。
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