升压+H -桥拓扑光伏逆变器功率器件选择作者:微叶科技 时间:2015-08-18 17:35
图1 升压+H -桥光伏逆变器拓扑
利用名为“最大功率点跟踪”或MPPT的软件技术,辅以定制化算法,逆变器的输入级便可跟踪这个最大功率点。逆变器的第二级把恒定的中间电压转换为50Hz的交流电压,再馈入供电网。这个输出与供电网的相位及频率同步。这一级由于与供电网连接,即便在故障状态下也必须达到一定的安全标准。除此之外,还有一个与低压指令(Low Voltage Directive)相关的VDE0126-1 -1新草案,该提案要求光伏逆变器在电能质量下降的情况下也应有源支持主供电网,以尽量降低更具普遍性的停电风险。在现有法规限制之下,是可以设计一个在停电时能够实时关断逆变器,以实现自我保护。不过,当光伏发电量在总发电量中占有可观的份额时,如果一遇上停电便直接关断光伏逆变器的话,是可能造成更大规模的主电网停电的,因为这样逆变器便会一个接一个关断,并迅速减少电网中的电能。因此,新的指令草案旨在提高主干配电网的稳定性和电能质量,而代价仅是使逆变器的输出级稍微复杂—点。光伏逆变器必须可靠,以尽量减小维护和停机检修的成本。这些逆变器还必须具有高效,以尽量增大发电量。有很多方法能够提高升压逆变器的效率,由于升压逆变器可在连续传导模式或边界传导模式(CCM或BCM)下工作,这就衍生出不同的优化方案。在CCM模式中,损耗的一大主因是升压二极管的反向恢复电流;在这种情况下,一般使用碳化硅二极管或Stealth二极管来解决。光伏逆变器常采用的是BCM模式,尽管对这类功率级通常应选择CCM模式,但采用BCM模式的原因在于BCNI模式中二极管的正向电压要低得多。而且,BCM模式也具有高的EMI滤波器和升压电感纹波电流。这时,良好的高频电感设计是一解决方案。 采用两个交错式升压级来取代一个升压级是一种新方法,这样一来,流经每个电感和每个开关的电流便能够减半。另外,采用交错式技术,一级上的纹波电流可抵偿另一级的纹波电流,因而可在很宽的输入范围内去除输入纹波电流,如采用FAN9612交错式BCMPFC一类的控制完全能够轻松满足太阳能升压级的要求。 逆变器中的升压开关有两个选择:IGBT或MOSFET。对于需要600V以上额定开关电压的输入级,常常会采用1200V的IGBT,如FGIAON120AND。对于额定电压只需600V/650V的输入级,则选用MOSFET。 输出H-桥级光伏逆变器的设计都采用600V/650VMOSFET,但因为新的草案规范要求输出级以四象限工作,MOSFET虽然内置有体二极管,但相比IGBT中采用的组合封装二极管,其开关性能很差。新型的场截止IGBT能够以l0V/ns的速度转换电压,较之以往的产品导通损耗大大改善。这种集成式二极管具有出色的软恢复性能,有助于降低500A/μs以上的高di/dt造成的EMI。对于16kHz~25kHz开关,应采用IGBT,例如飞兆半导体的FGH60N60UFD。 光伏逆变器设计的另一个趋势是扩大输入电压范围,这会导致在相同功率级下输入电流的减小,或相同输入电流下功率级的提高。输入电压比较高时,需要使用额定电压更高(1200V范围内)的IGBT,从而产生更大的损耗。解决这一问题的一个卜方法是采用三电平逆变器,如图2所示。 图2 交错式BCM 升压+三电平逆变器 上一篇:IGBT功率模块的性能参数与应用详解 下一篇:IGBT模块缓冲电路谐振电感的选择
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