半Heusler型Na1-xCsxAlGe(0≤x≤1)合金能带反转结构的研究

王啸天1 2 代学芳2 贾红英2 王立英2 张小明3 崔玉亭1 王文洪3 吴光恒3 刘国栋1 2

1. 重庆师范大学物理与电子工程学院, 重庆 400044;
2. 河北工业大学材料科学与工程学院, 天津 300130;
3. 中国科学院物理研究所, 磁学国家重点实验室, 北京 100190    

关键词: 第一性原理计算   拓扑绝缘体   半Heusler合金   电子结构

DOI: 10.7498/aps.63.053103

物理学报,2014, 63(05): 053103           

              

      采用第一性原理的计算方法，研究了全部由轻元素构成的半Heusler型NaAlGe合金中，掺杂元素对合金拓扑能带结构的影响. 发现利用同族的Cs元素掺杂替换Na元素，能够诱导Na1-xCsxAlGe合金的能带结构由原本正常带序（0 ≤ x<0.125）转换为反转带序（0.125≤ x ≤1）.>

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