折叠 编辑本段 简介反向二极管（Backward diode）又称为反向隧道二极管。它是一种反向导电性优于正向导电性的一种二极管。 反向二极管的核心是一个高掺杂的p-n 结，但结的一边是简并的，另一边是掺杂浓度稍低一点、接近简并而又不完全简并 (即Fermi能级不进入能带)的半导体。这种二极管在较低工作电压时，其正向电流很小（正向特性与普通的p-n结相似，是少数载流子的扩散电流，不出现隧道电流），而反向电流很大（是隧道电流）。 因为p-n结的隧道击穿电压比其正向导通电压还低，故这种二极管的伏安特性曲线，在较小电压范围内与普通p-n结二极管的恰好相反，从而称为“反向二极管”。 折叠 编辑本段 击穿在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通。这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。然而，如果采取适当的预防措施来限制电流的话，反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压。 |
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