摘要:七年前,在光伏低成本化浪潮的推动下,铸锭多晶硅凭借其简单、廉价的制备技术异军突起,取代提拉单晶硅成为国内晶硅的主流。在经历了铸锭单晶(又称类单晶或准单晶)的昙花一现后,后来居上的高效多晶技术已独领风骚三四年,成为“又红又专”的晶硅产品深受欢迎。晶硅端缺乏类似电池效率和组件功率一样的准确性能表征的参数,是成为制约其深入发展的一个短板。本文尝试对铸锭多晶、铸锭单晶和高效多晶的晶体微结构、缺陷分布及生长机理等进行系统对比,分析晶体生长方式对晶体微结构的作用规律。对现有及潜在的晶硅表征技术,本文亦进行了详细的讨论。 区熔(Floatzone,简称FZ)单晶硅,因其接近零缺陷的特征,一直被作为最完美的硅晶体而存在,其有效体少子寿命可高达10ms[1]。为了尽量减少体复合的干扰,充分体现电池结构设计的贡献,科学家们往往采用FZ单晶硅片作为衬底来制备高效单晶硅电池。比如,赵建华博士保持了单晶硅电池世界纪录达十六年之久的25%转换效率即是基于FZ硅片衬底[2,3]。FZ高昂的制备成本,使其应用只能被限制在实验室内。提拉(Czochralski,简称CZ)单晶硅是半导体行业成熟的产品,相较FZ单晶,CZ单晶的成本更接地气,能在一定规模上应用于追求低成本的光伏行业。但由于石英坩埚和石墨热场的应用,CZ单晶内的氧碳杂质不可避免地作为非金属杂质缺陷存在。铸锭单晶,又称类单晶或准单晶,是一种采用单晶硅块作为籽晶诱导、使用定向凝固技术来生长无晶界硅晶体的方法。类单晶虽拥有单晶的外观,但硅片体内的位错和杂质含量仍非常高。在2011年,类单晶火爆整个光伏硅晶体行业,但终因其无法彻底克服的带有不同晶向瑕疵的外观以及缺陷快速增殖的内在因素,加上其需使用较昂贵的单晶硅块籽晶导致的成本劣势,最终未能成功在行业内转化推广。铸锭多晶,制备技术简单,几乎拥有所有种类的缺陷,如高密度位错、高密度晶界、高浓度的金属和碳杂质等,虽具有低的晶体品质但同时也兼具低成本优势,以超过30GW的产能优势成为国内晶硅市场的主流。 2011年以前,或许是受制于当时表征技术的限制,行业内研究铸锭多晶大多都是向大晶粒的方向开展。当时大陆光伏企业的单次印刷全铝背电极(SP,Al-BSF)的多晶电池效率长期徘徊在16.8~17.1%的水平。2014年以后,相同电池结构的量产效率可达到17.8~18.1%。笔者认为,这大约1%的巨大进步归因于三个方面:(1)电池技术的进步,包括正面和背面J0的降低、金属化工艺的优化等;(2)浆料的改善,降低了接触电阻并使得印刷栅线的高宽比得到了提升;(3)高效多晶硅片的量产,直接促进了体寿命的大幅提升。 不同于电池片的转换效率和组件的输出功率,裸硅片的少子寿命很难精确表征硅片的优劣。少子寿命是从半导体行业转移而来的一个概念,但在光伏行业,其实际应用情况大不相同。(1)半导体硅片一般都有严格的抛光工艺,表面复合速率较低。而光伏硅片一般采用砂浆或金刚线切割,表面复合速率极高。(2)半导体硅片较厚,表面复合影响比重较小。而光伏硅片为了降低成本,片厚一般保持在200μm以下甚至更薄,表面复合比重高。(3)光伏硅片在后续的电池制备过程中,受磷扩散吸杂、PECVD钝化等工序的作用,初始硅片的体寿命并不能完全代表其在电池中的真实表现。其中,少子寿命和表面复合速率等相关参数之间的关系如下: 光致发光(Photoluminescence,简称PL)是半导体行业内常用的一项技术,用来表征半导体禁带宽度及各种缺陷等[8]。新南威尔士大学的TrupkeThorsten博士团队长期从事硅片的PL研究工作[9-11],并创建了专注于PL设备的公司BTimaging。PL是通过CCD相机来收集激光激发的荧光信号,具有不同复合能力的缺陷所发射的荧光波长和强度不同,在CCD相机所拍摄的图片里就呈现出明暗衬度不同的形态,间接反映了硅片体内各种缺陷的形貌和分布。PL技术以其无损、快速的特点,为研究者们探测硅片体内的结构提供了丰富的信息。比如,前文提到的在2011年以前晶体硅生长技术研究方向为大晶粒的研究误区,很大程度上是因为当时业内缺乏PL这类快速的无损检测技术所造成的。如何去量化各种缺陷,建立一种类似少子寿命的硅片质量评价指标,是相关研究者们一直努力的方向。笔者认为,需要充分结合电池技术的贡献,考虑吸杂和钝化对不同缺陷弱化作用,来给予各种缺陷一个综合的评价指标[12]。
在科学研究者们的不懈努力下,各种新型的光伏电池结构和制备技术不断涌现,但无论是能革命硅晶体电池的Perovskite电池,还是CIGS、GaAs等薄膜电池,抑或是大幅减少硅用量的硅薄膜电池,短时间内都无法撼动以晶体硅为基体的传统光伏电池的主流地位,其他电池会因为其高效或柔性等特点应用于特殊场合,作为晶硅电池的补充而长期存在。 参考文献 [1]T.F. Ciszek, T.H. Wang. Silicon float-zone crystal growth as a tool for thestudy of defects and impurities.in:Proceedingsofthe Electrochemical Society Fall Conference, Phoenix, Arizona, 2000. [2]J. Zhao, A. Wang, P. Altermatt, M. A. Green.Twenty-four percent efficient silicon solar cells with double layer antireflection coatings and reduced resistance loss.Applied Physics Letters,1995,66: 3636-3638. [3]A. Wang, J. Zhao,M.A. Green,F. Ferrazza.Novel 19.8% efficient 'honeycomb' textured multicrystalline and 24.4% monocrystalline silicon solar cells.Appl Phys Lett, 1998, 73: 1991-1993. [4]Z. Xiong, Z. Zhang, H. Ye, S. Fu, P.P. Altermatt, Z. Feng, P.J. Verlinden.High performance multicrystalline wafers with lifetime of 400μs at industrial scale.in: Proceedings of the 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, 2015. [5]W. Deng, D. Chen, Z. Xiong, J. Dong, F. Ye, H. Li, H. Zhu, M. Zhong, Y. Yang, Y. Chen, Z. Feng, P.J. Verlinden. 20.76% PERC solar cell on 156×156mm p-type multi-crystalline substrate,'Journal of Photovoltatics, 2015. (to be published) [6]O. Schultz, S.W. Glunz, G.P. Willeke.Multicrystalline silicon solar cells exceeding 20% efficiency.Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 2004, 12: 553-558. [7]R.A. Sinton, A. Cuevas. Contactless determination of current-voltage characteristics and minority-carrier lifetimes in semiconductors from quasi-steady-state photoconductance data. Applied Physics Letters, 1996, 69: 2510-2512. [8]D.K. Schroder,. Semicondcutor material and device characterization. Published by John Wiley&Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, 2006. [9]T. Trupke, R.A. Bardos, M.D. Abbott, F.W. Chen, J.E. Cotter, A. Lorenz. Fast photoluminescence imaging of silicon wafers,'IEEE, 2006, 928-931. [10]T. Trupke, R.A. Bardos, M.C. Schubert, W. Warta. Photoluminescence imaging of silicon wafers. Applied Physics Letters, 2006, 89: 044107. [11]T. Trupke, R. A. Bardos, M.D. Abbott. Self-consistent calibration of photoluminescence and photoconductance lifetime measurements.Applied Physics Letters,2005, 87: 184102. [12]S. Fu, Z. Xiong, Z. Feng, P.J. Verlinden, Q. Huang. Cell performance prediction based on the wafer quality,'Energy Procedia, 2013, 38: 43-48. [13]K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, M. Tokairin, Y. Nose, A. Nomura, T. Shishido, K. Nakajima. Growth of structure-controlled polycrystalline silicon ingots for solar cells by casting. Acta Materialia, 2006, 54: 3191-3197. [14]T. Lehmann, M. Trempa, E. Meissner, M. Zschorsch, C. Reimann, J. Friedrich. Laue scanner: A new method for determination of grain orientations and grain boundary types of multicrystalline silicon on a full wafer scale. Acta Materialia, 2014,69: 1-8. [15]S. Fu, Z. Xiong, Y. Zhang, Z. Ding, P.J. Verlinden, Z. Feng. A novel optical method for mapping crystal orientations. in: Proceedings of39th IEEE PVSC,Denvor,2014. 熊震 光伏科学与技术国家重点实验室 常州天合光能有限公司 戳原文,更有料! |
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