还原氧化石墨烯取得显著成果

       

[据固态电子技术网站2017年3月30日报道]  美国北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种将带正电荷（p型）还原型氧化石墨烯（rGO）转化为带负电荷（n型）rGO的技术，创建了可用于开发rGO基晶体管的分层材料，用于电子设备。

“石墨烯导电性能优异，但不是半导体；石墨烯氧化物具有类似半导体的带隙，但根本不能导电——所以我们创建了rGO。”北卡罗来纳州立大学材料科学与工程专业的杰出教授及一篇论文的通讯作者Jay Narayan说。“但是，rGO是p型，我们需要找到一种方式来制作n型rGO。现在我们有了它，可用于下一代二维电子设备。”

具体来说，他的实验室的学生Narayan和Anagh Bhaumik博士在本研究中展示了两件事。首先，他们能够将rGO集成到蓝宝石和硅晶片上——在整个晶圆上。

第二，研究人员使用高功率激光脉冲来定期地破坏晶片上的化学基团。这种破坏将电子从一个基团移动到另一个基团，有效地将p型rGO转化为n型rGO。整个过程使用大功率纳秒激光脉冲在室温和压力下在小于1/5的微秒内完成。激光辐射退火提供了高度的空间和深度控制，用于创建产生p-n结二维电子器件所需的n型区域。

最终结果是晶片表面具有一层p型rGO层，及一层n型rGO层。

这是至关重要的，因为两种类型材料接触形成p-n结使该材料对晶体管应用有用的。（工业和信息化部电子第一研究所  张慧）