本土IC生存实录 | 未来篇

未来篇—需要进入蓝海，解决发展与盈利之间的矛盾

中微副总裁、CCP等离子体刻蚀产品总经理麦仕义博士带我回顾了中微半导体的产品开发历程。

在中微半导体创立之初，半导体芯片工艺正从铝导线向铜导线迁移，以往的金属刻蚀方法逐渐过时，公司最初计划投入介质刻蚀和薄膜设备的研发，但后来考虑到后者投资回报率不高，开始集中精力研发等离子介质刻蚀机产品，到2007年将产品推向第一个客户测试时，基于客户的需求打造了适用于65nm~28nm工艺的双反应台多腔介质刻蚀机产品Primo D-RIE（去耦合反应离子刻蚀），这也是迄今为止中微半导体最成功的产品之一，由于设备芯片刻蚀效果好，产出能力比竞争对手的系统高出35%左右，而使用成本低35%，获得了众多客户的青睐。

此后中微半导体又推出了适用于28nm~15nm工艺的双反应台多腔介质刻蚀机Primo AD-RIE，适用于20nm~10nm工艺的单反应台多腔介质刻蚀机Primo SSC AD-RIE，以及最新推出的适用于28nm~15nm工艺的双反应台刻蚀除胶一体机产品Primo iDEA，至此，中微半导体的等离子刻蚀机产品已经衍生出4个产品系列。在国内，中微的介质刻蚀机在12英寸先进生产线，已占有35% 市场，在台湾最领先的晶圆公司的五条生产线上，已有140多个反应台实现大规模量产。在南韩，中微最先进的刻蚀机已有近30个反应器，在16纳米最关键的接触孔刻蚀上达到每月14万片晶圆的量产，取代了美国先进的刻蚀设备。

除此之外，中微半导体还推出了面向半导体后道封测工序的硅通孔刻蚀机Primo TSV硅通孔刻蚀机，已占国内相关的市场50%以上，并进入台湾和新加坡的生产线。中微还开发了面向LED芯片前道生产工序的MOCVD设备Prismo D-Blue，其中MOCVD产品2014年推出就有十多台被客户试用，同时在LED芯片之外还被客户试用于氮化镓功率器件的生产，未来应用前景广阔。

中微半导体在客户生产线的设备安装台数

可以说，从2009年45nm等离子刻蚀机进入台积电供应链，到2012年，中微半导体实现快速增长，2012年以来每年均保持40%的年增长速度，今年会达到5亿人民币以上的销售。2013年的设备产品出口占中国泛半导体出口的64%。其中国内高端设备出口几乎全部来自中微的贡献。2014年中微设备出口较前一年进一步提高了60%。

2013年中微半导体设备产品出口占比情况

中微半导体产品进入市场的势头和高速的发展

如今，中微已将其半导体芯片加工技术推广到更多应用领域，包括有极大成长空间的以硅为衬底的后端封测产业，以及以MOCVD为关键设备的发光二级管节能工业。公司从单一的半导体前端设备公司逐渐发展成为多元产品的微观加工设备公司。

了解半导体芯片加工过程的人都知道，光刻、等离子刻蚀和化学薄膜是芯片前端加工过程的三大核心技术。在移动处理器领域，尤其高端处理器领域，被认为是业界的一条铁律即未来这一领域将仅存不超过3家供应商。这一定律在任何一个高端技术领域同样适用，半导体设备领域亦然，在中微半导体所处的高端等离子刻蚀机领域，如今仅存美国科林、应用材料（2013年应用材料收购了原市占率第三位的东京电子）和中微半导体三家，中微的12英寸CCP介质等离子体刻蚀机已成为和美日设备并列的三个最有竞争力的产品之一；硅通孔刻蚀机领域，有东京电子、美国科林、中微半导体和英国的SPTS几家供应商，中微的TSV硅通孔刻蚀机是业界唯一的双台机，是性能好，而且加工成本最低的刻蚀设备，已成为和美国，日本和欧洲TSV刻蚀机竞争的劲敌；在利用其优势的化学薄膜技术积累推出的MOCVD领域，有美国Veeco、中微半导体和德国Aixtron三家供应商。中微的MOCVD和美国最新机型都是具有自动传送的四个反应器系统，可以连续加工上百批LED，是业界仅有可做到这个水平的两种设备之一。

而中微之所以能够跟应用材料和科林等这些国际大厂抗衡，源于几点：1. 团队的力量，掌握了核心技术和大量专利；2. 政府支持，持续的资金投入，保证公司的资金链；3. 电子行业不断有新的挑战性，包括硅通孔产品、MOCVD等新的市场机会，不断需要新的微观加工产品来满足新需求，就给了像中微这样的后来者跟国际大厂站在同一起跑线上的机会；4. 创业前期进行了充分的客户、市场调研与部署。虽然尹志尧坦言经历的几场专利官司和金融危机在其预期之外，拖慢了公司的发展步伐，但目前投入和回报在正常预估范围内，预计未来一两年将达到盈亏点。我们看到2015年将是晶圆厂12英寸产线扩张的重要一年，包括台积电、联电、GlobalFoundries、三星等厂商都在加大对新厂、新产线的投入，对中微而言将是关键的一年。

谈到中微半导体对未来的规划，“我们会坚持做自己熟悉的东西，也就是微观加工最关键的等离子体刻蚀和化学薄膜设备。后面做硅通孔和传感器刻蚀机、MOCVD都没有脱离这些核心的技术积累，而是结合产业发展趋势，在原有技术基础上不断扩展产品线和市场应用，将从前端到后端，到新能源，再到前端，不断引入新产品，确保高成功率，不断扩大市场占有率。做到市场地域分散，应用领域分散，从而分摊风险，保证营收的稳定持续增长。”尹志尧如是说。“我们一定争取在未来十年，中微半导体业务实现10倍的增长，年复合增长率保持在30%左右。”

中微半导体的产品发展路径