《Transphorm低成本硅基GaN HEMT：TPH3206PS》

Transphorm GaN-on-Silicon HEMT TPH3206PS

——逆向分析报告

Transphorm TPH3206PS/On Semiconductor NTP8G206N 硅基GaN HEMT- 600V 17A

据麦姆斯咨询资料显示，TPH3206PS是Transphorm第二代硅基氮化镓（GaN）高迁移率晶体管（HEMT）（Transphorm和On Semiconductor联合推出），其采用Transphorm最新的芯片设计，具有600V的击穿电压和17A的工作电流，可应用于DC-DC转换器、AC电机驱动器、电池管理等。与第一代产品相比，其成本每安培（cost/ampere）降低了一半。

Transphorm的TPH3206PS采用新的芯片设计和制造工艺，特别优化的电极不仅节约了面积，还增加了电流密度。与第一代产品相比，金属接触和场板结构都做了较大改变，这些创新使得芯片的成本降低了一半。

硅基GaN HEMT芯片和金属结构图（样刊模糊化）

叉指结构截面图（样刊模糊化）

GaN HEMT 制作流程

TPH3206PS是面向高频应用的600V EZ-GaN的HEMT器件，由富士通（Fujitsu）公司的150mm代工厂加工。芯片采用TO-220方式封装，增加了开关速度，具有quiet-Tab品牌特征。

TO-220封装正面、背面以及内部芯片布局示意图

TPH3206PS包括了一颗可承受高压的常开型硅基GaN HEMT器件和一颗标准的低压MOSFET，该MOSFET由On Semiconductor提供，两颗芯片通过共源共栅（cascode）的结构实现常关型晶体管。

MOSFET示意图（样刊模糊化）

该报告基于全面的拆解分析，提供了封装、HEMT、MOSFET以及电阻的成本估计。

该报告还对TPH3206PS和GaNSyetems650V的GS66504B器件进行了对比,重点突出了二者设计和制造过程的不同，以及其对器件尺寸和量产成本的影响。

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