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IGBT的输入端实际上就是一个功率MOSFET，因此其栅极驱动电路与功率MOSFET的栅极驱动电路基本上是一致的： (1)IGBT的栅极存在一个相当大的等效输入电容CE1，通常需要充入或释放一个相当大的电荷量才能实现IGBT的导通或截止。因此，要求栅极驱动电路的输出阻抗低，可在瞬间为IGBT的栅极输入电容提供足够大的充电电流和放电电流。 (2)为了保证IGBT的充分导通，通常要求加给栅极的驱动电压UG为10~15V；为了增强功率MOSFET在截止时的可靠性，应该给栅极加以-5V左右的负电压。但IGBT的栅极的击穿电压为土20V，在驱动时应采取可靠措施避免驱动电压超出这个范围。 (3)出于IGBT的栅极输入电容比较大，为了避免其与线路的寄生电感形成一个串联谐振电路而产生振荡，在栅极上应串人一个阻值为10~100Ω的阻尼电阻。 (4)栅极驱动电路应具备良好的电气隔离性能，实现IGBT与控制电路的隔离，以避免功率电路后级对前级的控制信号产生干扰。 |
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