|
现在主流的芯片制程工艺是FinFET。FinFET使得芯片获得更好的性能，且具有进一步的微缩空间。现在市场主流的16NM、14NM芯片都是使用了FinFET工艺。 我们来简单的看看什么是FinFET。FinFET，Fin Field-Effect Transistor，即鳍式场效应晶体管，是一种互补式金属、氧化物半导体场效晶体管。FinFET是源自于传统晶体管的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。而在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计相对于旧的晶体管设计，可以大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的闸长。 继FinFET之后，近年来FDSOI工艺越来越受到业内的关注，其技术优势和应用前景也越发地被看好。格芯、三星、索尼、意法、等厂商在FDSOI技术上的投入越来越大。目前FDSOI工艺已经在生产28、22NM芯片了。 那什么又是FDSOI呢？FDSOI（Fully Depleted-Silicon-On-Insulator），全耗尽SOI技术，即在硅晶体管结构在绝缘体上。FDSOI原理是，在硅晶体管之间，加入绝缘体物质，使两者之间的寄生电容大幅度降低。 FDSOI和FinFET比较，FDSOI的优点是：能减小了寄生电容，提高了运行速度；能减少了寄生电容，降低了漏电，具有更低的功耗；消除了闩锁效应；抑制了衬底的脉冲电流干扰，减少了软错误的发生；设计、制造更加简单等等。 对于国内来说，FinFET技术，国内起步太晚，和国外差距太大； EUV极紫光刻技术，国内又缺乏先进技术和设备。 而FDSOI工艺，优势明显，且处于技术发展初期。在 FDSOI上我国和其他半导体强国几乎是站在同一起跑线上的。这似乎是中国半导体实现弯道超车，中国IC实现崛起的最后一次机会。 目前我国在FDSOI技术上已经达到了国际先进水平。国内中芯国际已经在出货FDSOI工艺的28NM芯片。正是凭借着FDSOI技术，中国研发出了自主知识产权的国产CPU，龙芯3A3000。 近年来芯片市场需求日益增长，我国芯片自主（市场供求自主，技术自主）的需求越来越强烈。FDSOI越来越受到关注，FDSOI芯片生产在国内大有可为。 预计2018年FDSOI芯片制造可能出现新一轮的投资热潮；国内芯片制造规模将迎来巨大增长；FDSOI将实现更小的NM制程；FDSOI芯片将被应用到更多领域； FDSOI技术的发展，FDSOI生产规模的逐渐扩大，也将带来IC芯片市场供求的缓和；FDSOI将使得更多“国产芯”出现。 FDSOI是否能够让中国半导体实现弯道超车，是否能够振兴中国IC行业， 尚需时间证明，让我们拭目以待。 |
|
|
