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西瓜改良式覆盖栽培

 xingqitian1 2018-03-21


  覆盖前期,可从南侧将薄膜支缝放风,西瓜后期外界气温升高,为加大放风量,可在培上挖洞,进行对流放风。播种与栽苗时,注意不要太靠近土墙,应与土墒保持Io”20厘米距氏以防烤苗。


  ⑥西瓜改良式覆盖栽培。又分以下两种。


  高哇深穴覆aI冬前按预定行医3.6米挖瓜沟。瓜沟宽100厘米、深50厘米。先挖出表土25厘米,顺瓜沟亩施困肥500D公尼再深翻一锨约25厘米然后回填表土。春季播种前,溜足底墒九在土壤于湿活度时,中耕松土,打碎词垃,顺瓜沟筑畦。瓜畦底宽100厘米,上宽70。75厘米,一娃挖双九穴间距40厘米,穴深15厘米,每穴施磷酸二钱50克左右。穴底距地面5厘米,每穴播种2。3粒种子,疆土I。1.5厘米厚。覆土后在陛面喷除草剂(拉索),随后a旗,等于给每抹瓜苗建一座临时“土温室”,保护幼苗不受春季低温影响。


  透风穴覆琵东西向打垄,垄底宽70厘沁高20“25厘米。核定檀距离,用瓜铲在阳坟的中上部的东西北三面各切一P,再用瓜铲从底部由南向北铲选端出铲L,成北深15厘米、边长12厘米的避风久然后播种或栽。


  春季气温的回升,注意膜上打孔放风,以防幼苗。终霜后,破嗅放苗、封穴。


  (12)改良覆量的温度效应及对西瓜生长发育的关系


  深穴(暖抗)栽培6,比普通覆盖栽培提早播种10天左右。种子在深穴内发芽后,幼苗生长在暖坑内不会遭受寒害。


  采用暖坑覆盖栽培不仅达到一膜两用,而且其温、湿度条件更适宜爪苗早期的生长发育。据观察.当深坑内的最低温度降为o.5℃时,普通覆盖的田块地表温度则为—2.6℃,当深坑内的温度升高至46℃时,则普通覆盖栽培的温度为51℃。所以,深坑栽培,可有效地防止高温烙面在低温条件下,又能保持穴内幼苗所需要的温度。深坑栽培比普通地膜覆盖栽免可提高座果串20%,提早采收7。8天,提高产量34X,并可减轻枯萎病、炭疽病的发生和危害。

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