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举例说明，自己画了一个通俗、简单的场效应管驱动LED的电路图，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。下面简要说明。 向左转|向右转 场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。 向左转|向右转
N沟道MOSFET管用法】：（栅极G高电平D与S 间导通，栅极G低电平D与S间 截止，P沟道与之相反） 栅极/基极(G)接控制信号， 源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。 当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作。（这里只用最易理解的语言说说用法，事实上MOSFET的开启和关闭取决于栅极/基极(G)和源极(S)之间的正压差） 这样，我们只要控制MOSFET的栅极/基极(G)电压有无，即可控制负载的工作与不工作，形成一个开关效应。MOSFET管的开关时间非常快，一般在纳秒极，你就认为是瞬间开启/关闭就可以了，在MOSFET管内部是没有延迟的。 由于MOSFET管的快速开关特性，使用高频PWM方波信号对其栅极/基极(G)进行控制，可以在输出端获得超高速切换的平均电压，这个平均电压取决于PWM波的占空比。这就是UBEC或者电调等模型设备的降压和调速原理。这种高频开关降压方法几乎没有能量损失，效率一般在95%以上。
【P沟道MOSFET管用法】：】：（栅极G高电平D与S 间截止，栅极G低电平D与S间 导通） 栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源正极，漏极(D)接负载输入正极，负载输出负极直接接负载电源负极（模拟地）。 当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）1.2V以上时，源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载正极被连通负载电源正极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）不足1.2V，或栅极/基极(G)电压大于等于源极(S)电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载不工作。 MOSFET场效应管做为快速开关元件的用法就简单说到这里，复杂理论咱不说它，知道怎么用就行了。如果仅仅是做为电子开关使用，也可以简单用三极管代替MOSFET管，只不过三极管的效率、开关速度、开关可靠性远不如MOSFET管。 明白了？ |
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