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一、工作原理 稳压二极管由半导体PN结构成。大家知道，PN结具有单向导电性。即在PN结上加正向电压时，正向电流较大。且随正向电压的增加，正向电流迅速增大；当PN结加反向电压时，反向电流很小，且反向电压在一定范围内变化时，反向电流几乎不变。但当反向电压超过一定数值（反向击穿电压）时，反向电流便急剧增大，而且随着反向电流的急剧增加。PN结的反向电压值却增加很少，这种现象称为PN结的反向击穿。稳压二极管就是利用这种反向击穿的持性制成的，当然，对反向电流的增加不能没有限制，否则PN结将会迅速烧毀。 PN结的击穿是由加在PN结耗尽层上的高电场所造成的。半导体的击穿电场一般约为200kV/cm左右。实际上存在着两种类型的击穿，即雪崩击穿和齐纳击穿。 
稳压二极管的电路符号及伏安特性 当反向电压足够高（如大于6V）时，PN结中电场较强，使载流子加速。当其与中性原子相撞时，就可能产生新的电子空穴对。这些新的载流子又被加速，形成连锁反应，从而造成载流子的剧增。这种现象称为雪崩击穿，通常发生于PN结一侧是重掺杂的二极管中，且击穿电压反比于轻掺杂一侧的杂质浓度，对于掺杂浓度较高的半导体，其PN结耗尽层很薄，只要加不高的反向电压(如4V以下），耗尽层就可能获得106V/Cm以上的电场强度，足以将价电子拉出原子，从而获得很多电子空穴对，使电流剧增。这种现象称为齐纳击穿。实验证明，雪崩击穿和齐纳击穿是同时存在的。稳压值较低的稳压管属于齐纳击穿，稳压值较高的主要是雪崩击穿。对于硅稳压二极管来说，分界约在4~7V，4V以下的属齐纳击穿，7V以上的属雪崩击穿，而4~7V之间的稳压管则两种击穿都存在。 二、伏安特性 下图是稳压二极管的电路符号及伏安特性。该曲线和普通二极管的伏安特性类似。但普通极管的反向电流随反向电压的增加而逐渐增大，当达到击穿电压时，二极管将击穿损坏。而稳压二极管的反向电压小于击穿电压U2（又称稳定电压）时，反向电流极小。但当反向电压增至U7后，只要反向电压稍有增加。 
带射极跟随器的稳压电路 
带放大环节的稳压电路 在负载电流很大，且要求输出电压连续可调或输出电压十分稳定时，常采用带放大环节的串联式稳压电源，其基本电路如下图。其中稳压二极管用来提供基准电压信号，经与来自输出电压的取样信号比较，进而由T2放大并通过调整管使输出电压稳定。注意，在此U2取自UL，而非U0，因而更加稳定。海洋仪器http://www. |
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