PN结的击穿特性: 当反向电压增大到一定值时,PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增 加,这种现象称为PN结的击穿,反向电流急剧增加时所对应的电压称为反向击穿电压,如上图所示, PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种。 电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数,但温度升高,共价键中的价电子能量状态高,从而齐纳击穿电压随温度升高而降 低,具有负的温度系数。6V左右两种击穿将会同时发生,击穿电压的温度系数趋于零。 PN结的电容特性: CT不是恒值,而是随V而变化,利用该特性可制作变容二极管。 2、 扩散电容:多子在扩散过程中越过PN结成为另一方的少子, 当PN结处于 平衡状态(无外加电压)时的少子称为平衡少子 可以认为阻挡层以外的区域内平衡少子浓度各处是一样的,当PN结处于正向偏置时,N区的多子自由电子扩散到P区成为 P区的非平衡少子,由于浓度差异还会向P 区深处扩散,距交界面越远,非平衡少子浓度越低,其分布曲线见[PN 结的伏 安特性]。当外加正向电压增大时,浓度分布曲线上移,两边 非平 衡少子浓度增加即电荷量增加,为了维持电中性,中性区内的非平衡多子浓度也相应增加,这就是说,当外加电压增加时,P区和N区各自存储的空穴和自由电子电荷量也增加,这种效应相当于在PN结上并联一个电容,由于它是载流子扩散引起的,故称之为扩散电容CD,由半导体物理推导得 CD=( I + Is)τp/VT 推导过程参见《晶体管原理》。 3、 PN结电容: PN结的总电容Cj为CT和CD两者之和Cj = CT+CD ,外加正向电 压CD很大, Cj以扩散电容为主(几十pF到几千pF) ,外加反向电压CD趋于零,Cj以势垒电容为主(几pF到几十pF到)。 |
|
来自: ldjsld > 《电脑手机及电子技术》