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雪崩击穿:
材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强.这样通过空间电荷区的电子和空穴就会在电场作用下获得能量增大,在晶 体中运行的中子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对.新产生的载流子在电场作用 下再去碰撞其他中性原子,又产生的自由电子空穴对.如此连锁反应使得阻挡层中的载流子的数量急剧增加,因而流过PN结的反向电流就急剧增大.因增长速度极 快,象雪崩一样,所以这种碰撞电离称为雪崩击穿. 齐纳击穿: 当PN结两边的掺杂浓度很高时，阻挡层将变很薄，在这种阻挡层中，载流子与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞。显然，场致激发能够产出大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象，这种击穿称为齐纳击穿。 区别: 雪崩击穿,它是一种破坏性的电子现象.而齐纳击穿是一种暂时性的可恢复的电子现象.齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。 齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！ 两者的区别对于稳压管来说，主要是： 电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。 电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。 |
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