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ADI公司（ADI）宣布推出一款SiGe宽带合成器，集成了压控振荡器（VCO）,据称可在单芯片上提供业界最低的相位噪声性能。 ADF5610小数N分频合成器可产生55 MHz至15 GHz的射频输出，适用于各种市场应用，包括航空航天和国防、无线基础设施、微波点对点链路、电子测试和测量以及卫星终端。 与需要多个窄带GaAs压控振荡器和锁相环（PLL）的替代解决方案相比，ADF5610的功耗降低了50％，面积更小，架构更简单，从而节省了材料成本并缩短了产品上市时间。 ADF5610采用ADI公司专有的先进SiGe BiCMOS工艺开发，可实现高调制带宽和低BIT误码率。它具有业界领先的VCO相位噪声（100kHz偏移时为-114dBc / Hz，10GHz时100MHz偏移时为-165 dBc / Hz），-229dBc / Hz时的低归一化相位本底噪声（FOM）。集成PLL功能提供快速跳频和锁定时间（使用适当的环路滤波器时<50μs）。相位检测器杂散电平典型值低于-45dBc，RF输出功率电平为dBm。 ADIsimPLL是ADI公司的PLL合成器设计和仿真工具，完全支持ADF5610，用于评估相位噪声、锁定时间、抖动等。该器件还可通过集成SPI接口和控制软件进行客户编程。 ADF5610的额定温度范围为-40°C至+ 85°C。它采用标称3.3V模拟和数字电源以及5V电荷泵和VCO电源供电，具有1.8V逻辑电平兼容性。合成器还包含硬件和软件掉电模式。
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