SiP封装工艺3—Wafer BG&Dicing

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Wafer Back Grinding(晶圆研磨)

为保持一定的可操持性，Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄，才适用于切割、组装，一般需要研磨到200um左右，一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。常用的Wafer研磨、切割流程如下图。

常用的几种BG流程

晶圆研磨主要可分为下面三个步骤：Taping(贴膜) → Back Grinding(背面研磨) → Detaping(去膜)。

Taping(贴膜)：在晶圆的正面（Active Area）贴上一层保护膜，保护芯片电路区域在研磨时不被刮伤，如下图所示。

进料wafer、贴膜机及贴膜后的wafer

Back Grinding(背面研磨)：将贴膜后的晶圆放在真空吸盘上，真空吸盘其旋转。研磨砂轮转动的同时对晶圆施压，将其研磨到最终需要的厚度，如下图所示。

BG示意图

Detaping(去膜)：晶圆研磨后，将保护膜经紫外光照射后剥离，如下图。

研磨后的wafer

Dicing(晶圆切割)

晶圆切割流程：Wafer Mounting (晶圆贴片)→ Die Singulation(芯片切单)。

Wafer Mounting(晶圆贴片)：贴膜的主要作用是防止芯片在切割时散落，另外也方便后续Die Attche工序拾取芯片。

Wafer贴片材料、设备及贴片效果图

Dicing芯片切割)：芯片切割又叫划片，目前主要有两种方式：刀片切割和激光切割。

Wafer切割，及切割前后wafer细节对比

Wafer切割后，所有的芯片已完全分离开，将其放入晶圆框架盒中，流去下一工序。

晶圆及框架盒