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非化学计量化合物有何特点？ 为什么非化学计量化合物都是n型 或p型半导体材料？ 解答：非化学计量化合物的特点：非化学计量化合物产生及缺陷浓 度与气氛性质、压力有关；可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶
体；缺陷浓度与温度有关，这点可以从平衡常数看出；非化学计量化合 物都是半导体。由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩，产生金
属离子过剩（n 型）半导体，正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩， 产生负离子过剩（p 型）半导体 如何确定半导体是重掺杂型的？如果要获得重掺杂型的半导体，掺杂离子如何选取？比如，我想获得CdS重掺杂n型半导体，应该掺什么离子？想获得CdS重掺杂p型半导体，应该掺什么离子？离子选择是否与获得重掺杂的TiO2半导体的方法一样？ 1.应该是测费米能级位置吧，与本征费米能级比较，N掺杂后费米能级靠近导带（或者重掺杂费米能级进入导带）。P掺杂费米能级靠近价带。 2.N掺杂一般选比原材料阳离子多一个或两个价电子的阳离子，P掺杂一般选少一个或两个价电子的阳离子。如Si有四个价电子，掺B就是P掺杂，掺P就是N掺杂。 3.CdS不掺杂的情况下也是N型半导体，因为有很多S缺陷。 4.至于选什么离子，你得参考文献了，不是所有离子都可以掺进去的。 对CdS而言 阳离子掺杂 可以是Ag(少一个电子), In(多一个电子)等, 对TiO2而言 阴离子掺杂 可以是N
具体的多子/少子 最好看文献测试分析结果 毕竟物理是实验科学 理论分析
有时候只是 一相情愿 简单地说是由于化合物半导体的本征缺陷（元素空位，间隙等）导致的。例如ZnO的氧空位缺陷很容易形成，且很难补偿掉，因此ZnO一般都会是n型导电。又比如CuI，Cu空位缺陷很容易形成，于是CuI往往是p型导电。宏观而言化学计量比也许并没有偏离或偏离很少，但微观缺陷类型决定了导电特性。 一般情况下，金属和非金属形成化合物，金属原子空位往往是p型的，因为其空位周围的非金属原子易得到电子，如ZnO中Zn空位产生后，锌氧键断裂，氧容易俘获电子，所以锌空位是受主型缺陷。相反，非金属原子空位往往是n型，是施主，原因是一样的。而对于间隙类缺陷也可以用相同的方法去分析。以上都只是一般情况。
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