最近总结一下晶体管的一些基本知识,类似学习笔记,适合新手学习。 晶体管的基本放大电路基本共射放大电路 共射放大电路回路组成 输入回路:△u1是输入电压信号,经过Rb接入基极和发射极回路 输出回路:放大后的信号在集电极和发射极回路 发射极为两个回路共用端,所以称为共射放大电路 晶体管工作在放大状态的外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置 为此我们需要基极电源VBB,集电极电源VCC,且VCC>VBB。 晶体管放大作用体现:很小的基极电流可以控制很大的集电极电流。 IE:发射结电流 IB:基极电流 IC:集电极电流 关系:IE=IB+IC 共射电流放大系数一般认为: 电流放大关系公式 晶体管共射特性曲线1.输入特性曲线 描述特性:管压降Uce一定时,基极电流iB与发射结压降Ube之间的函数关系 晶体管输入特性曲线 发射结与集电结并联时(Uce=0),就是一个二极管状态,与PN结伏安特性曲线类似 对于确定的Ube,当Uce增大到一定值后,ic将不再增大,也即是ib基本不变。 2.输出特性曲线 描述特性:基极电流Ib一定时,集电极电流Ic与管压降Uce之间的函数关系。 晶体管输出特性曲线 对于不同的Ib,都有一个对应的曲线 当Uce增大时,ic随即增大,而当Uce增大到一定数时,集电结电场足以将基区非平衡少子的绝大部分收集到集电区,此时ic不再明显增大,也就是说,ic基本仅决定与ib。 晶体管三个工作区域
晶体管温度特性曲线温度对晶体管输出特性的影响 实线是20℃时的特性曲线,虚线是60℃的特性曲线,可以看出,温度升高,集电极电流增大。 集电极耗散功率增大,当硅管温度大于150℃,锗管温度大于70℃时,管子性能就会损坏,所以对于大功率管,需要注意温升测试并且选用合适的散热器。 极间反向击穿电压定义:晶体管某一极开路时,另外两个电极允许加的最高反向电压 U(BR)CBO:发射极开路时集电极-基极之间的反向击穿电压。 U(BR)CEO:基极开路时集电极-发射极之间的反向击穿电压。 U(BR)EBO:集电极开路时发射极-基极之间的反向击穿电压。 结构图与实物图晶体管结构示意图 晶体管实物图 |
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