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以下为群友提问： 1.氧化铝厚度对电性能的影响？PID、LeTID有没有影响？ 氧化铝厚度对PID、LeTID没有影响，如果做双面氧化铝对PID的影响比较大 2.ALD氧化铝如何解决绕镀 目前ALD设备分两种，以板式和管式为主。板式：硅片平铺在载板上，绕镀可以控制在0.5mm以内（几乎无绕度）。管式：一种是单插双镀，两边同时镀膜解决绕镀问题，镀双面会有比较大的隐患，正面氧化铝与扩散PN结成反型，起负电场的作用，对PID有比较大影响，对于正负1500V击穿测试过不了；另一种双插单镀，以硅片背靠背形式插片解决绕度。 3.双面氧化铝对正面的影响 正面常规结构主要是氮化硅薄膜，浆料以烧穿氮化硅为主，如果有额外的氧化铝，表面负电场与PN结反型，对折射率是有益处，但对浆料的烧穿体系来说没有益处，另外再加上对PID的影响，对正面的影响比较大 4.氧化铝钝化在n型硅的前景 对于P型电池是背面钝化，对于N型，同样可以起到钝化效果，但是是正面钝化，ALD优势在镀膜质量高、均匀性好，可以做到更薄的氧化铝薄膜，N型量产电池厂家主要选ALD作氧化铝钝化。 5.双面氧化铝的话对浆料的要求 常规浆料以烧穿氮化硅为目的，对于氧化铝膜，需要在玻璃粉方面要作调整，刚开始调试阶段遇到的主要问题是拉力不足，是因为没有烧穿氧化铝，没有与硅片形成良好的欧姆接触 6.氧化铝沉积方式对Tma消耗的差异 沉积方式以PECVD和ALD为主，PECVD反应的膜厚要求高及TMA利用率低，ALD的耗量大约4mg/片，而PECVD的耗量则为ALD的两倍。 7.双面氧化铝改单面氧化铝存在的问题及解决办法 主要在管式ALD上改，主要问题在花篮的槽距，如果槽距过大反镀会比较严重，如果槽距过小则会有划伤情况，需要实际调整，也是一个作平衡的过程。 8.氧化铝设备单边发黑的处理 氧化铝边缘发黑，成膜均匀性在初期有些问题，或者自动化设备在上下料时有异常发生，正常生产是不会有单边发黑的情况。 9.单面PID解决办法？双面怎么保证双面PID 对于PID，正面以热氧为主，提升效率同时解决PID问题；背面使用渐进膜或类似生成氧化硅的薄膜来解决PID问题。 双面PID与单面类似，正面以氧化退火为主，背面以氧化硅薄膜配渐变膜来抑制PID现象 10.碱抛机台提效方案。 碱抛属于性价比高的方案，可以提升效率，降低化学品耗量，减轻环保压力，带来1分钱/片收益，但提效对SE来说不够明显，还需优化， 11.退火温度与退火时间对氧化铝钝化性能的影响？氧化铝与氮化硅的氢钝化，哪个起主导作用？氢钝化机理、氢的传输过程是什么？ 以ALD来说，退火温度，膜越薄退火温度越高，主要由生成膜的质量和成膜特性决定，ALD与CVD对退火要求不同 ALD氧化铝退火机理，采用水作为氧源，含氢氧键，钝化表面悬挂键，降低界面态密度，大大增加固定负电荷的能力，起到场钝化的作用
12.ALD氧化铝的前驱体氧源是水和臭氧有什么区别 对效率没有影响，主要是工业对成本、稳定性、控制性方面的考虑，水更符合大规模应用 14.对PERC技术最大挑战的技术路线是什么？ 从技术讲HIT，IBC、TOPCon、Npert等比较有优势，但都不具备成本竞争力. 15perc电池如何叠加非晶硅技术，目前效率如何 目前没有PERC叠加非晶硅的技术，钙钛矿方面目前有新的进展 16.perc未来的提效方向在哪里 大规模生产，提高良率，降低成本，密栅 19.单面SE玛雅PERC产品低效片静置会出现气泡发黑，效率跳档严重，重烧后效率有所提升，EL有改善，但静置后会复原，如何改善 怀疑点：氧化铝厚度不均匀，局部异常导致，烧结过烧，光注入或电注入的条件需要优化；另外可能是玛雅的湿度比较大，把湿度降低，会有改善。我记得是湿度超过60%就会出现这个问题，把湿度控制在50以下。 20.制绒良率提升，碱抛的优势 制绒良率的提升主要以添加剂方向为主，其次是设备控制精度，从早期的慢速制绒添加剂到现在的快速制绒添加剂； 碱抛优势：背面较高反射率降低表面复合，提高少子寿命，另外污水处理成本下降多，经济效益好。 21.板P，管P，ALD，三种工艺制备的AlOx薄膜最适厚度区间各是多少，退火温度有没有区别，为什么？ 板P，由早期24nm降至15nm；管P，由12nm降至8nm；ALD，各家不一样，在3-8nm。ALD上，膜越薄，退火温度越高，生成膜的质量和特性不一样，对退火温度有要求，退火温度达不到，会造成片子整体发黑，效率降低导致降档。 22.perc电池，氧化铝膜层在高温烧结时会出现小气泡，原理是什么，应该怎样解决？ 1、成膜时氢氧键过多，在反应时水过量，退火时氢氧散逸或退火不充分造成； 2、氧化铝膜层过厚，造成高温烧结时里面的氢气出来造成冒气泡，可以可以适当的把氧化铝这一块儿做薄。 23.通过酸背抛提高反射率到40%与碱背抛效率那個有优势 不管酸抛还是碱抛，反射率到40%，电池效率差异不大，主要从化学品耗量考虑，如果用酸抛需要用到大量化学品，处理成本也高。 24.双面电池目前在组件端，只有用POE封装才能通过抗PID测试，用EVA封装抗PID测试失效，如何解决双面电池抗PID问题？ 背面引入氧化硅薄膜配渐变膜来抑制PID现象，同时正面避免额外的氧化铝干扰 25.用maia和微导，理想等设备生产PERC电池和常规电池比增加背面工艺的成本分别是多少？ 目前maia在开机率和TMA耗量上讲，会比ALD高，ALD含折旧成本在0.11元/片左右 27.ALD氧化铝绕镀与烧结的匹配性，有没有定论？ ALD氧化铝绕镀会造成正面氧化铝不均匀，厚度不同对浆料、氮化硅要求不同，导致部分区域过烧或欠烧，整体不均匀造成接触不好。 28.如何提高酸背抛背面反射率，背面反射率是不是越高越好，对比了很多公司，背面反射率相差很大啊。每次停机久了，就有很多el水痕印，如何改善。酸背抛碱槽及酸槽浓度或者导电度一般控制在多少啊？ 反射率主要看前后道工序匹配；EL水痕印主要是药液激活，然后在开机后跑假片解决； 增加背面反射率，也可以增加长波的吸收。 29.Perc+SE氧化铝厚度与少子寿命对效率的影响，关键性？单根管氧化铝的不均匀度管控在多少 关系见PPT；管内不均匀性，目前看均匀性对电池效率影响不大 30.ALD氧化铝对比其他机台优势在哪，效率有增益原理说明及管P是否有调整优化空间？ ALD在成膜质量、TMA耗量、开机率方面有优势； 管P，详见PPT，通过提前开启PLASMA增强升温速率提升单机产能 31.SE电阻与PERC效率之间的关系？SE叠加PERC后需要注意最重要的工艺参数？PERC叠加SE采用哪种SE方式比较合适？为什么？ SE技术出现比较早，包括化学、二次扩散等，目前激光综合性能是最高的。后续由于PERC电池开压的提升，SE叠加PERC会有0.2-0.3%的提升。 32.除了目前火爆的PERC，后续还有什么技术路线值得关注？各有什么特点？ 目前，n-TOPCon电池结构变化不大，可以与现有产线兼容，是设备升级厂家关注点，HIT由于设备投资比较大，是新建厂关注点。 34.SE对扩散结的要求以及方阻下降值多少合适如何确定 根据之前Schmid机台做化学SE经验，碱处理会导致方阻升高，碱处理后的方阻，与浆料匹配，来达到良好的接触 35.SE技术还有哪些提效空间。 激光SE宽度降低，SE后退火氧化降低缺陷密度，多主栅SE图形匹配，扩散Se正银匹配，都有一定的提升性能。 早期浆料的效果超越了SE，后面由于PERC的出现，形成1+1>2的效果，SE成为了标配，但由于本轮PERC电池的下跌，对其他电池的挤出作用会更加明显。 36.PERC电池技术路线 高方阻密栅，不管是常规电池还是PERC电池都适用，包括SE方式，主栅从3BB、4BB、5BB到MBB，都是这种方式。 37.为什么做双面氧化铝对PID影响比较大？ 双面PID，因为由于正面对于PERC，氧化铝的薄膜是背钝化的作用，在正面于它与本身的一个扩散是反行，所以是一个负电荷的作用，跟PN结好是反行，所以对PID有比较大的影响，目前对于±1500伏的击穿是过不了的。 38、SE 有哪些异常，如何预防 异常主要有图形激变、激光激变、漏打、激光衰减。预防的话，主要是机台的温度的控制，温度过高容易出现漏打，建议用二次元定期监控激变与偏移的情况。 激光SE为例，激光SE对扩散结的要求，我的理解是，轻掺区表面浓度升结，磷硅玻璃中含磷量要高，确保激光后重掺区和轻掺区形成较好的高低PN结，同时提升电池片的串阻和填充。 方阻下降值要与正银匹配，一般情况下是下降到70到100方左右，需要具体去匹配正银。 39、碱抛如何兼容SE 技术 从之前使化学SE的方法，个人认为，因为碱影响方阻的漂移，如何更好匹配方阻是关键，就是SE以后的方阻在经过碱抛以后，得到浆料匹配需要的方阻值，来达到一个良好的接触。 40、我们的单，多晶电池片时常会有EL单边发暗的情况，暗边永远垂直于主柵线，正常RS0.0016左右，单边暗RS大约在0.0008左右，会低一倍。稍微好点的会在0.0010-0.0013左右。问题基本上是锁定在理想板式ALD，但是找不到产生的具体原因，有时候连续几天都有，有时候半个月一个月都没有。 回复：因为它的方向始终与栅线垂直，应该还是印刷有问题，如果是理想或者PSG的话很简单，硅片方向肯定不会是一成不变的，所以说。其实从翻转硅片就很容易排查出来。 如果是前道的PSG，或者是理想有问题，他的方向应该没有这么严重的规律性。 对于理想，如果设备有问题，因为是载板放的，肯定会有一定比例，或者六分之一，或者三分之一二分之一，不会这种无规则，时有时无，建议还是以印刷道为核心去追查，另外看一下刻蚀，它背面的均匀性是否OK。 也可以考虑一下网版跟台面之间的平行度，还有刮刀，就说这三者之间的运行平行度看怎么样，是不是平行度不够造成这种现象。 baccini的台面、网版和刮刀平行度要求在≤30um，迈为要求是≤50um，可以做参考
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