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3, Xming用gnuplot是gnu文件里面要加pause -1 4,INCAR 字符太长，vasp_lib里面要改drdatab.F文件，255改大，重新编译 5 声子谱：phononp –d –dim=”3 3 1” 6 vasp编译gama版本的：在第二个CPP加上-DwNGZhalf就行。 7 ISMEAR=-5，电荷密度和DOS之类的电子结构和总能准，但是算力不准，所以对于算声子谱，最好不用-5。对于金属，声子谱一般用DFPT会更准。对于半导体和绝缘体，不能用ISEMAR>0的，只能是-5或者0.对于金属，ISMEAR=1，sigma=0.2 8 DFPT不能用NPAR phonopy -d --dim="2 2 2" -c POSCAR-unitcell mv SPOSCAR POSCAR 静态计算：IBRION=8， IALGO=38对于金属ISMEAR=1，sigma=0.2 phonopy --fc vasprun.xml band.conf里面要添加：FORCE_CONSTANTS = READ phonopy -p -c POSCAR-unitcell band.conf 一般来说，对于金属，或者窄能隙半导体，如果用位移法，则需要很大的胞才能算准，但是用DFPT则可以小包算准。对于金属，PBE可能更好点。 9, 如果体系较大，EDIFF达到停止计算，很可能是K点取太多，内存不够。 10, bandplot --gnuplot band.yaml >> phon.dat，用origin做声子谱 11，画 CBM和VBM的partial charge,读入静态的WAVECAR，进行处理，此时要设置INCAR， LPARD = .TRUE. 开关 IBAND = 480 481 VBM CBM NBMOD = 1 默认 KPUSE = 1 第几个K点 LSEPB = .TRUE. vasp查 LSEPK = .TRUE. 12， 算极化：铁电相和顺电相都要算，每一个相算三次。首先要静态自洽，接着读取上一步的CHGCAR. 三个方向各算一次。 13, Vdos是可以不分x,y.z的。给出每个原子的贡献。 14，计算真空能级，在静态计算INCAR中加入LVTOT=T，如果结构是三维的，要将POSCAR沿着C方向截出一个10A的真空层。相应的把KPOINTS里面C方向的K点设置为1.跑完之后用小程序进行处理，画出C方向的平均电势图，读出真空能级即可。真空能级是最高点。例子计算，/home/users/xggong/luowei/work/paper-p/p4o4-vacc/p4o4-2/pre小浪潮 16, 计算真空能级，功函数。在INCAR里面加入LVTOT= T，然后把LOCPOT复制为PARCHG，第一列写成原子名字，第二个原子名字去掉。运行post_VASP，选7即可得到结果。(如果不收敛，可以加大真空层厚度试试) 17，vasp加电场， EFIELD=1(沿着坐标轴的负方向，一般金属加0.1V/A才有效果) LDIPOL = .TRUE. IDIPOL = 1（x方向加） DIPOL= 0.5 0 0 （结构的中心） 18 计算沿z方向的电荷密度的变化，跟真空能级方法一样，只是把CHGCAR复制为LOCTOT,然后vi LOCTOT，去掉最后的一些不需要的东西。然后运行post_VASP，选7即可得到结果。 19 xshell画声子谱，要用xmanager.而不是xming 20,计算磁性的体系，设置 IALGO=38 LREAL=F LPLANE=.TRUE. GGA_COMPAT = F LMAXMIX=4 LDAU = .TRUE. LDAUTYPE = 1 LDAUL = 2 -1 LDAUU = 4 0 LDAUJ = 1 0 LORBIT=11 算得更准 19 如果要用wannier算磁性体系。Spin要分开，这是应该用vasp+wannier+soc的版本跑，同时INCAR设置成spin=2的模式，但是LSORBIT不开。跑完会出来up和down，再分别对他们局域化。 |
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