光刻胶

光刻胶

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。^[1]

中文名光刻胶

外文名photoresist

别名光致抗蚀剂

成分感光树脂、增感剂和溶剂

分类负性胶和正性胶

分类

光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与与负性胶显影工艺对比结果示意图^[2]。

图1 正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比

利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。

光聚合型

采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。

光分解型

采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。

参考资料

• [1] 闫鹏飞精细化学品化学化学工业出版社2004年
• [2] 韦亚一超大规模集成电路先进光刻理论与应用北京科学出版社2016157-158

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