tsmc的 RPO 层（第34层）或umc的SAB层（第29层），在画poly
resistor和ESD时都用到了，这一层有什么作用，增大电阻率吗？在工艺上是怎样实现的呢？ RPO其实只是一个用在光刻的掩膜，它的作用是在做完POLY以后，再做 salicide 的时候，将有RPO的地方档主，这样有RPO的地方就不会有硅化物形成，这样保持了POLY较高的电阻率，主要用于做POLY电阻和在ESD的时候为了提高其方块电阻而采取的工艺步骤。 另外，解释一下Salicide的用途。 Salicide中文翻译过来就叫硅化物，其实是比较薄的一层金属和多晶的合金体，一般多是钛或者是钨或者是其他混合物，其主要目的是在多晶硅表面相对比较薄的一层上面生长出一层（或者是淀积）金属－硅的硅化物（比较复杂的分子结构吧，具体不说了），目的是降低多晶上的电阻率（一般在做GAME或者在做POLY连线的时候，希望POLY上的电阻越小越好）。而在做电阻或者在做ESD的时候，为了提高其电阻和耐压，往往需要POLY上具有比较大的电阻率，所以就不需要做SALICIDE这一层，因此在设计版图的时候需要有这么一个MASK，在SALICIDE的时候区分于其他POLY部分。。。 不知道说清楚没有。。。 不过有一点还不太明白，在长salicide的时候是只在多晶上长吗，可是ESD里面的RPO层不光在poly上有，在diff上也有的，在diff上的RPO层又有什么作用呢？而且poly上的RPO层有的是完全覆盖poly，有的是两侧有一点交叠，有的poly上没有但drain的diff上有，可以麻烦再解释一下吗？ 作用是一样的啊， DIFF上其实也有硅化物的，在CONTACT的地方一般都还会做一层金属化的'钨钉’。
至于说ESD上面为啥有的地方有有的地方没有，我想这是根据不同的需要吧，有的是2kv的有的是5kv的，电阻率当然是不一样了。
而且ESD上为了保持正S/D之间的电阻率一样，往往会在边界的地方做些处理，使之与中间部分的电阻和沟道能保持一致，避免出现失效。。。 恩。。。也没有理论分析，只是自己感性说说咯 |
