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Vol.5 数字IC和VLSI芯片设计基础【报告说】本期【报告说】是“数字IC和VLSI芯片设计”主题的经典课件，属性偏基础，适合了解或初学人群。主要重点也包含MOS晶体管的相关特性和工作原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理等。以下是报告的部分概览：... ... 阅148 转5 评0 公众公开 20-12-06 17:36 |
触发器有很多类型，比如J-K触发器、T触发器、D触发。前面我们也说了，锁存器的应用之一就是构成触发器，这里我们只聊最简单的触发器——D触发器，D触发器的结构和电路符号图如下所示：D触发器可以由两个D锁存器构成，驱动时钟的相位相反（也就是），前面的D锁存器称为主锁存器，后面的D锁存器称为从锁存器，因此D触发器也可以称为主从触发器（P... 阅251 转12 评0 公众公开 20-12-05 23:36 |
在现在工艺中，我们主要使用的是成为CMOS（互补型半导体，Complementary MOS）的工艺，这种工艺主要就是把PMOS和NMOS这两类晶体管构成一个单元，称为CMOS单元或者反相器单元，其结构把PMOS和NMOS同时集成在一个晶元上然后栅极相连，漏极相连，下面是它的结构图（关于电路符号和功能将在后面讲）：功耗是单位时间内消耗的能量，在数字系统中的功... 阅382 转11 评0 公众公开 20-12-05 23:31 |
PCM SPC控制--VT shift的分析方法！对于普通工艺，VT shift的时候，一个需要考虑的情况就是栅氧厚度，查一下工艺的时候栅氧厚度是否在正常水平，以判断是否对VT有影响，有的时候，不同之间栅氧厚度有个小台阶差，也可能会时而出现VT波动，这个就需要对栅氧化工艺机台进行相关性分析，来判断机台之间的差异；Si/SiO2界面电荷浓度：一般对应于VT... 阅579 转16 评1 公众公开 20-11-25 20:59 |
CMOS的关键参数VT！3. 衬底浓度：衬底越浓，越难于反型，VT越高；4. 衬底电压：衬底偏值效应，衬底电压越大，VT越高；6. 栅氧中电荷：栅氧中电荷会影响到VT，正负值对VT也有相应的影响；Si/SiO2界面电荷浓度：一般对应于VT注入，与衬底同质注入VT增大，与衬底异质注入，VT降低；对于衬底浓度有上面的关系，而一般阱注入会应为工艺不同而不同，... 阅2441 转23 评0 公众公开 20-11-11 20:38 |
高阶讲解：什么是SOI wafer?所以绝缘衬底上硅(Silicon-On-Insulator，简称SOI)技术以其独特的材料结构有效地克服了体硅材料不足，以前最早是在well底部做一个oxide隔离层，业界称之为BOX (Buried OXide)，隔离了well的bulk的漏电，但是这种PN结依然在well里面，所以PN结电容和结漏电还是无法解决，这种结构我们称之为部分耗尽型SOI (PD-SOI)。P... 阅1 转自HKCOOL 公众公开 20-08-01 20:59 |
Deep nwell的作用DNW层即deepn-well,多应用于RF0.13-65nm工艺中，而在0.25以上不常使用，DNW的一个关键用处就是为器件提供独立的SUB，由于电路频率较高时会对SUB产生干扰，所以必须将高频电路隔离，或者把敏感电路包在DNW中。对于PSUB工艺来说如果没有DNW层就仅能制作PNP管（P /NWELL/PSUB），如果有DNW则即能实现PNP又能实现NPN（N /PWELL/DNW... 阅3327 转13 评0 公众公开 20-08-01 10:39 |
目的是用DNW来隔离DNW里面的PW和p-衬底，使衬底藕合噪声更小。一般在对噪声比较敏感的芯片（比如RF芯片）上会用到。对于一个对衬底r!噪声很敏感的电路，那么其周围可能产生噪声的部分自然都需要隔离起来最好。NWELL是可以隔离，那么下面再有一个DNW也没啥不好的。而且，如果PMOS放到DNW外面，设计规则上还有很多麻烦，因为DNW是需要用NW环绕的。 阅302 转10 评0 公众公开 20-08-01 10:27 |
1.2 Litho, etch Nit and Ox, PR removal, Si etch, liner-Ox；1.3 HDP fill, RTA, CMP, Nit and Ox removal, Sac-OX.2.1 Litho（P-well）, P-well implant, PR removal;3.1 pre-ox clean, Gate-ox-1;3.5 Mask（poly）, HM etch, PR removal, Poly etch;5.1 Litho（nLDD）, implants（nLDD）;5.2 Litho （pLDD）, implants（pLDD）,spike. 阅661 转12 评0 公众公开 20-07-05 21:14 |
