本报告由集成电路引入,衔接了超大规模集成(VLSI)的相关内容,引出金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),并抛出[如何构建简单CMOS芯片]以及[如何构建优质的CMOS芯片]两个问题并作出解答,详述了一些利用晶体管构建逻辑门、晶体管布局与制造等等内容。 主要重点也包含MOS晶体管的相关特性和工作原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理等。 ... ... |
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