|
众所周知我国的集成电路发展发展得并没有想象中的那么好，曾经一度陷入黑暗中，面对别人实施的技术围堵，我们国家的研究者们倔强地向前奔跑，这就是中国力量。 工业发展是每一个国家必须要走的强国之路，存储器是很多高精端的电子产品的“心脏”，而我国恰巧在这方面的技术上存在很多不足，甚至与很多国家都存在不小的差距，而存在的这些差距反而成为了我们的动力，使我们不断突破美韩技术的封锁。 今天就为大家带来了一个好消息，我们在该领域创下了三个全球第一，更令人骄傲的是，这意味着沉睡多年的中国存储芯片将正式崛起。  这个好消息是我国一家叫做长江存储的闪存厂商提供的，这家公司对外宣布说成功研发了128层QLC 3D NAND存储器产品，型号X2-6070，这个消息一出来，就引起了很大的关注，长江存储发展的历程也是非常艰辛，它就是国内很多集成电路行业发展的一个缩影，经过各种技术改进，才走到了今天。 长江存储是从武汉新芯开始发展的，从最开始的艰难，到第一个32层储存器的研发成功，然后就是64层，最后直接跳过了96层到128层的存储器，中间经历了许多艰难时期。  据了解该公司研发的这款产品已经通过验证，接下来就是实现量产的目标了，预计月产10万片，它的崛起，将意味着我国的存储芯片前途一片光明。 这款128层QLC 3D NAND存储器，不仅性能良好，它还创下了三个全球第一：单位密度业界最高，1.33Tb的单颗容量最高，1.6G/s的I/O速度最快。  这就是长江存储的独特之处，还评价它是全球首款128层QLC闪存，所以该公司才敢直接跳过96层的研发，因为128层有足够的理由来说明它具有保障性。 长江存储是闪存行业的新人，但它也是该领域的新起之秀，无论是之前的64层3D NAND，还是现在的128层QLC 3D NAND存储器，都进入了一个比较领先的水平。  在它实现每一步跨越的过程中，流下了许多汗水，但成果是值得骄傲的，在突破技术的同时还创下世界第一，给了我国奋斗在这个领域的人们更多的信心。 好了今天就为大家介绍到这里，我们下一期再见！ |
|
|
