众所周知,异质结构会触发界面中的电子转移,可以调整界面的电子状态并优化催化活性,导致高催化性能。相对于2H相的二硫化钼,1T相的二硫化钼具有更好的催化活性位点,目前,如何制备1T相二硫化钼的异制结依旧是一个挑战。 近日,西安交通大学的材料与科学工程学院的宋江选(通讯作者)通过一步法硫化钼酸钴氧化物获得了高性能产氢的3D-1T MoS2/CoS2异质结构。相关论文以题为“3D1T-MoS2/CoS2 Heterostructure via Interface Engineering for Ultrafast Hydrogen Evolution Reaction”发表在small期刊上。 论文链接: https://pubmed.ncbi.nlm./32686314/ 研究结果发现3D-1T MoS2/CoS2具有沿着纳米棒的独立纳米片的结构,因此暴露了更多的活性位点。界面诱导使得MoS2由2H相转变为1T相,从而具有更好的导电性和电子传输能力。在酸性条件下可达到26mV的过电势(电流密度为10mA/cm2)且稳定性高达120小时,同时在碱性条件下也达到了71mV的过电势(电流密度为10mA/cm2)且稳定性高达72小时。 进一步通过密度泛函理论进行了分析在1T-MoS2和CoS2的异制结构的界面处,MoS2和CoS2面表现出超高的HER活性,几乎-0.01和-0.009 eV的零ΔGH,比最新的Pt催化剂(-0.08 eV)小。这表明异质结界面是HER的活跃中心,从而实现了超快氢吸附和解吸动力学。 总的来说,通过硫化钼酸钴氧化物得到3D-1T MoS2/CoS2异质结构,这种异制结构具有更多的催化活性位点,同时CoS2和MoS2强相互作用促使MoS2从2H相过渡到1T相,大大增加了异质结的电子传输。因此3D-1TMoS2/CoS2在酸碱溶液中都具有良好的催化性能。(文:李婧) |
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