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2月中旬，美国Teledyne e2v HiRel公司与加拿大氮化镓系统（GaN Systems）公司合作推出加固型100V/90A氮化镓（GaN）功率电子迁移率晶体管（HEMT）产品TDG100E90 GaN HEMT，经过严格的可靠性和电性能测试，满足抗辐射和高可靠性应用要求，尤其是适用于军事和宇航领域。昨天公号第一篇也写到了GaN器件开始在空间应用大展拳脚（详情参见于此）。 Teledyne e2v HiRel公司于2019年12月发布了TDG650E60，为 650V/60A GaN HEMT。此次发布的TDG100E90，进一步扩充了高可靠GaN功率产品体系，提供了更低功耗和更高电流的选择。 两款产品均具有超小外形尺寸，采用了高性能底端冷却塑料封装GaNPX技术，可实现超高速开关、极低电感和卓越的热特性，可帮助用户显著减小功率电子的尺寸和重量。还利用了GaN Systems公司拥有专利的岛技术（Island Technology），该技术是一个可微缩、垂直电荷消散系统，使功率晶体管具有极低的热损耗、高功率密度、无电荷存储和非常高的开关速度。与硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件相比，由于没有反向恢复特性，新产品能够显著减少损失和电磁干扰。为了减少漏源导通电阻或增加负载电流，新产品能够方便地支持并行驱动配置。 Teledyne e2v HiRel 公司的产品主要应用于航天、国防、运输和工业领域。公司为最高可靠级应用定制了严格的认证和测试标准，并实施到所有产品线上，包括硫酸测试、高空模拟、动态老化、环境温度高达175°C的阶跃应力测试、9-V门电压测试和全温度等测试。 信息来源 https://www./news/home/20200219005940/en/ https://www./e2vhrel/Semiconductors/Pages/Power%20Solutions.aspx
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