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其实，正在运行的电路因受干扰或内部出错而僵住于某个状态（类似于电脑的死当），都可算是闩锁效应。 对于恒压源供电的电路，饱和闩锁是不允许的，若电源当恒流源，则截止性闩锁将造成灾难，可控硅及λ二极管都是双稳器件，在模块里头的电路，元件间的隔离通常使用PN结而不是绝缘物，这往往就凑合出「可控硅或λ二极管」来。
狭义的闩锁效应，是指CMOS或IGBT这类器件的 可控硅效应，这专题在网上的图解多的是，我只是把「可控硅」的画法改变，使它更像可控硅而矣（其实也可说是两个IGBT），或者说，是把CMOS跨接于SCS的两个闸极，
跟真正的可控硅一样，这「可控硅」很易受到电源过压（或骤增）的影响，这是闩锁效应的主流因素，但还有一点，按常理，CMOS是不该直通的，但如果有负载，则任何一只MOSFET开通都会有电流，这电流若然老老实实地在MOSFET里通过，那敢情是好，问题是沟道跟衬底一体且阻值相若，沟道电流或会往衬底扩散，任何一只MOSFET开通，这个「SCS」都会被触发，那么，即使不闩锁，电源也被短路！
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