新洁能估值分析表公司简介：公司的主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司是专业化垂直分工厂商，芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封测代工而成，公司已初步完成先进封装测试生产线的建设，将少部分芯片自主封装后对外销售。 公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一，在中国半导体行业协会发布的 2016 年、2017 年、2018 年和 2019 年中国半导体功率器件企业排行榜中，公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。 2016 年、2017 年国内MOSFET 市场份额分别为 22.07 亿美元、26.39 亿美元。公司 2016 年、2017 年分别占国内 MOSFET 市场份额比例分别为（年度平均汇率分别为 6.6423、6.7518）2.88%、2.83%，且公司为除英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、瑞萨电子（Renesas Electronics）等 9 家外资品牌外的国内排名前茅的 MOSFET研发设计及销售本土企业。根据 IHS、电子工程世界网 Yole 相关数据，2018 年全球 MOSFET 市场份额预计将增长至 76 亿美元，比照 Yole 关于国内功率器件占全球份额约 39%测算，国内 2018 年 MOSFET 市场份额预计将达到 29.64 亿美元，公司占国内 MOSFET 市场份额比例达 3.65%。 公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一，是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一，为国内 MOSFET 等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。 公司的主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司产品系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。 公司主要产品按形态分类具体情况如下：
公司是半导体行业内专业化垂直分工企业。芯片是由公司通过复杂的技术研发和产品设计流程后，将包含核心技术文档在内的研发设计方案交由芯片代工企业，芯片代工企业再通过其光刻、刻蚀、离子注入和正面金属化等半导体工艺制造流程，将晶圆材料片等原材料加工成包括电路结构、器件特定功能在内的芯片产品。下游部分客户采购公司芯片产品后，可以通过与其他种类的芯片和电子元器件合封，组合后形成具备特定功能的器件，再安装在电路板中实现相关作用。每片 8 英寸芯片包含数百颗至数万颗数量不等的单芯片，单芯片可以通过进一步封装测试形成半导体封装成品，即功率器件。
功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成，少部分由公司对芯片自主封装后销售。功率器件主要是指已经封装好的 MOSFET、IGBT 等封装成品，主要结构包括芯片、塑封外壳、金属底座以及引线等结构，其中芯片是核心，发挥主要功能作用。芯片通过焊料固定在框架上、连同塑封外壳等给芯片提供支撑、保护、散热以及电气连接和隔离等作用，以便使器件与其他无源器件和有源器件等构成完整的电路系统。公司功率器件系列齐全，下游应用领域广泛，收入占比逐年增长。 公司各类产品使用先进的设计技术和制造工艺来实现半导体功率器件低导通损耗、低开关损耗和高可靠性，从而提升能源转换效率，能满足不同的客户应用需求。公司各类产品的示意图及适用领域如下：
半导体是一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性：掺杂性（在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性）、热敏性、光敏性（在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化）、负电阻率温度特性，整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重要的组成部分，在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。 半导体产品可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品，其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元，主要实现对信息的处理、存储和转换；分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，主要实现电能的处理与变换，而半导体功率器件是分立器件的重要部分。 分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品；其中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。 全球半导体 2007年至 2018 年销售规模及增幅情况如下图所示：
2018 年，我国半导体分立器件全年销售规模已达 2,658.4 亿元，较 2017 年增长7.50%。2011 年至 2018 年，我国半导体分立器件的销售规模年均复合增长率达到 9.72%，具体销售情况如下图所示：
主要的半导体功率器件（MOSFET 和IGBT）的市场需求规模如下： ②IGBT 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和双极型三极管（BJT）的低导通压降两方面的优点，IGBT驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。IGBT 是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件，成本占到新能源汽车整车成本的 10%，占充电桩成本的 20%。由于未来几年新能源汽车/充电桩等新兴市场的快速发展，IGBT 等半导体功率器件将迎来黄金发展期。 2018 年中国半导体行业功率器件十强企业主要情况如下表所示：
公司主要产品包括沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET 以及 IGBT 等半导体功率器件产品，公司主要竞争对手包括英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、瑞萨电子（Renesas Electronics）等国际一流半导体企业，以及扬杰科技（300373）、韦尔股份（603501）、富满电子（300671）等国内优秀的半导体功率器件企业。 公司与该等企业在经营模式、销售规模等方面的差异情况如下：
公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端 MOSFET、IGBT 的研发和产业化，在已推出先进的超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和超薄晶圆 IGBT 数款产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司目前亦率先在国内研发基于 12 英寸晶圆片工艺平台的 MOSFET 产品，部分产品已处于小批量风险试产环节。公司还进一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，开展对 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的研究探索和产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。 财务分析：报告期各期，公司分别实现营业收入50,375.98 万元、71,579.03 万元和 77,253.69 万元，净利润分别为 5,189.11 万元、14,141.89 万元和 9,820.95 万元，扣除非经常性损益后的净利润分别为 6,867.81万元、13,955.56 万元和 8,762.74 万元。
公司结合 2020 年 1-6 月经营及财务数据，预计 2020 年 1-9 月营业收入区间为 64,000.00 万元至 65,500.00 万元，同比上涨 18.05%至 20.82%；预计 2020 年1-9 月归属于母公司所有者的净利润区间为 9,200.00 万元至 9,700.00 万元，同比上涨 44.82%至 52.69%；预计 2020 年 1-9 月扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润区间为 8,800.00 万元至 9,300.00 万元，较上年同期上涨 49.29%至57.77% |
|
|
